IRS20954S
90%
HO （或LO ）
有效的死区时间
10%
tf
死区
时间
10%
LO （或HO）
图15 ：有效的死区时间
需要用，因为时间越长吨较大的栅极电荷值的MOSFET较长的死区时间
f
。较短
有效的死区时间设置为总是有利于实现在D类开关阶段更好的线性度。然而，可能
的直通电流增大，在大批量生产窄死区时间设置。有效的死区时间负值
可能会引起过度的热耗散在MOSFET时，可能导致严重的伤害。为了计算最优
死区时间在给定的应用中，需要的下降时间tf为两个输出电压， HO和LO ，在实际电路中被测量。
此外，有效的死区时间，也随温度和器件参数的变化而变化。因此，最低
10 ns的死区时间的有效建议，以避免在工作温度范围内的直通电流和
电源电压。
编程死区时间
DT引脚提供了一个功能设置死区时间。该IRS20954确定基于施加到所述DT引脚上的电压的死区时间。
内部比较器转换该预先确定的死区时间被用来进行比较的内部参考电压。
阈值电压为每种模式都在内部通过一个电阻分压器切断V设定
CC
，否定使用精确的需要
绝对电压设置模式。的操作模式和在DT引脚上的电压之间的关系示于
图。 16岁以下。
死区时间
15nS
25nS
35nS
45nS
V
DT
0.23 xVcc
0.36 xVcc
0.57 xVcc
VCC
.
图16 ：死区时间设置与V
DT
电压
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