IRS20954S
低端过电流设定
用相同的MOSFET设计在高端有R
DS （ ON）
为100μm的
，在OCSET电压，V
OCSET
，设置30 A
脱扣值由下式给出：
V
OCSET
= I
TRIP +
个R
DS （ ON）
= 30 A X百米
= 3.0 V
选择R4 + R5 = 10 kΩ的为VREF引脚正确装载，从而
R
5
=
=
V
OCSET
10
k
V
REF
3.0
V
10
k
5.1
V
=
5.8
k
其中，V
REF
为VREF引脚的输出电压， 5.1 V典型。
从E- 12系列选择R5 = 5.6 kΩ和R4 = 3.9 kΩ的。
一般来说，R
DS （ ON）
有需要时，该阈值电平被设置为被认为是一个正温度系数。
虽然这种特性更从一个设备保护点，这些变化需要加以考虑
外部或内部的元件值的变化。
DEADTIME发电机
死时间发生器块提供高侧和低侧上之间的消隐时间，以避免同时上
状态导致贯通。该IRS20954有一个内部的死区时间生成模块，以减少外部数
组分在D类音频放大器的输出级。可选死区时间通过DT / SD引脚电压编程
是一个简单而可靠的功能，只需要两个外部电阻器。设置可以防止这种可选择的死区时间的方法
从调制的切换定时，这是给音频表演临界外噪声。
如何确定最佳死区时间
有效的死区时间在实际应用不同于本数据表中指定的死区时间，由于有限的开关秋天
时间t
f
。在此数据表中的死区时间的值被定义为从关断的起点的时间段上的一条边
切换阶段的导通另一侧的起始点，如图所示。 15. MOSFET栅极电压的下降时间
必须从死区时间值中减去在数据表中，以确定一个D类音频放大器的有效死区时间。
（有效的死区时间） = （死区时间在数据表） - （下降时间， TF ）
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