IRS20954S
因为V的所感测的电压
S
与供给到OCSET销， OCSET的与所需的电压的电压比较
对于COM一回我的水平
TRIP +
是：
V
OCSET
= V
DS （低压侧）
= I
TRIP +
个R
DS （ ON）
以忽略OCSET引脚的输入偏置电流，建议使用10 kΩ的总R4和R5至漏极0.5毫安
通过电阻器。
高端过流检测
对于正负载电流，高压侧的过电流检测过载状态监测，通过测量V
DS
与CSH和VS
销和关闭的操作。 CSH的针是检测漏 - 源电压是指在V
S
销是源
高边MOSFET 。为了忽略过冲振铃开关边缘， CSH检测电路开始监测
第300纳秒后， HO是由消隐从CSH管脚的信号。
与此相反的低侧电流检测， CSH管脚的门槛搞OC保护在内部固定为1.2 V的
外部电阻分压器R2和R3可以用来编程较高的门槛。
外部反向阻断二极管， D1 ，就是要阻止高电压馈电到CSH管脚，而高端是关闭的。通过减去
0.6 V在D1的正向电压降，从而可以在高侧设置的最小阈值是0.6V的整个漏
源。
与图1中的配置。 14 ，在CSH的电压为：
V
CSH
=
R
3
(
V
DS
(
高边
)
+
V
F
(
D
1)
)
R
2
+
R
3
其中：
V
DS （高压侧）
是漏的高边MOSFET的导通状态电压源
VF
(D1)
是D1的正向电压降
因为V
DS （高压侧）
由漏电流I的乘积来确定
D
和R
DS （ ON）
在高边MOSFET 。 V
CSH
可写
如：
V
CSH
=
R
3
(
R
DS
(
ON
)
I
D
+
V
F
(
D
1)
)
R
2
+
R
3
R
2
V
DS
+
V
F
=
1
R
3
VTH
OCH
反向阻断二极管D1是一个10kΩ的电阻R1正向偏置时，高边MOSFET导通。
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