IRS20954S
CSH
R2
R1
R3
D1
+B
CSH
比较
OC
+
VB
-
1.2V
HO
HO
Q1
VS
OUT
VCC
LO
Q2
IRS20954
-B
图14 ：编程高端过流阈值
OCP设计实例
高侧过电流设定
图。 14演示了高压侧电流检测的典型外围电路。例如，过电流保护电平是
设置为30一趟用带有R的MOSFET
DS （ ON）
100毫欧的，R 2和R 3中的元件值被计算为：
选择R2 + R3 = 10 kΩ的，因此
R
3
=
10
k
R
2
.
R
3
=
10
k
VTH
OCH
V
DS
+
V
F
VTH
OCL
= 1.2 V
V
F
= 0.6 V
V
DS@ID=30A
= 100毫欧×30 A = 3 V
V
DS
是在I上的电压降
D
= 30跨R A
DS （ ON）
高边MOSFET 。 V
F
是反向阻断二极管的正向电压，
D1 。牛逼
他看重R2和R3从E- 12系列有：
R2 = 6.8 kΩ的
R3 = 3.3千欧
选择合适的反向阻断二极管
反向阻断二极管D1由额定电压和速度来确定。要阻止母线电压，反向电压必须
（ - - B）比（ + B ）高。另外，反向恢复时间需要尽可能快地引导充电二极管。飞利浦BAV21W ，
200伏，50 ns的高速开关二极管，是绰绰有余的。
www.irf.com
\
15
