FDS8858CZ双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
300
V
GS
= 10V
P
（ PK）
，瞬态峰值功率（ W）
对于温度
上述25
o
C减免PEAK
当前，如下所示：
I = I
25
150
–
T
A
------------------------
125
100
10
T
A
= 25
o
C
单脉冲
1
0.5
-3
10
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T，脉冲宽度（ S）
图13.单脉冲最大功率耗散
2
1
归热
阻抗Z
θ
JA
占空比，降序排列
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
P
DM
t
1
t
2
0.01
0.0003
-3
10
单脉冲
R
θ
JA
= 135
o
C / W
注意事项：
DUTY因子：D = T
1
/t
2
PEAK牛逼
J
= P
DM
X Z
θJC
个R
θJA
+ T
A
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
吨，矩形脉冲持续时间（ S）
图14.瞬态热响应曲线
2007仙童半导体公司
FDS8858CZ Rev.B的
6
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