FDS8858CZ双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征（ Q2 P沟道）
T
J
= 25
o
C除非另有说明
10
-V
GS
，门源电压（ V）
4000
I
D
= -7.3A
V
DD
= -10V
电容（pF）
C
国际空间站
8
V
DD
= -15V
6
V
DD
= -20V
1000
C
OSS
4
2
0
0
7
14
21
28
35
-Q
g
，栅极电荷（ NC）
C
RSS
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
100
0.1
1
10
30
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图21.栅极电荷特性
图22.电容VS漏
至源极电压
10
-I
g
,
栅极漏电流（ A）
-3
20
-I
AS
，雪崩电流（ A）
V
DS
= 0V
10
10
10
10
10
-4
-5
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
T
J
= 125
o
C
-6
-7
T
J
= 25
o
C
1
0.01
10
0.1
1
10
30
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
-8
0
5
10
15
20
25
30
-V
GS
,
门源电压（ V）
图23.非钳位感应
交换能力
8
图24.栅极漏电流与门极
源极电压
60
-I
D
，漏电流（ A）
V
GS
= -10V
-I
D
，漏电流（ A）
6
10
1ms
4
V
GS
= -4.5V
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10ms
100ms
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 135℃ / W
o
2
R
θ
JA
= 78℃ / W
o
0.1
1s
10s
DC
0
25
50
75
100
o
125
150
T
A
= 25
o
C
T
A
，环境温度
(
C
)
0.01
0.1
1
10
80
-V
DS
，漏源极电压（ V）
图25.最大连续漏极
电流与环境温度
图26.正向偏置安全
工作区
2007仙童半导体公司
FDS8858CZ Rev.B的
8
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