FDS8858CZ双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
2007年3月
FDS8858CZ
双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
N通道： 30V ， 8.6A ， 17.0mΩ P通道： -30V ， -7.3A ， 20.5mΩ
特点
Q1 ： N沟道
最大
DS （ ON）
= 17mΩ在V
GS
= 10V ，我
D
= 8.6A
最大
DS （ ON）
= 20MΩ在V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.3A
Q2 ： P通道
最大
DS （ ON）
= 20.5mΩ在V
GS
= -10V ，我
D
= -7.3A
最大
DS （ ON）
= 34.5mΩ在V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.6A
高功率和移交能力的一种广泛使用的表面
贴装封装
开关速度快
逆变器
同步降压
概述
这些双N和P沟道增强
电源模式
MOSFET采用飞兆半导体的出品
这一直是特别先进的PowerTrench工艺
针对减少通态
出色的开关性能。
这些装置非常适用于低电压和电池
供电应用的低线的功率损耗和快速
开关是必需的。
阻力
然而维护
应用
D2
D2
D1
D1
SO-8
S2
销1
S1
G1
G2
D1
D1
7
8
D2
6
Q1
3
2
1
S2
G1
S1
D2
5
Q2
4
G2
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
I
D
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
P
D
T
J
, T
英镑
功率消耗单操作
工作和存储结温范围
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
（注1A ）
（注1C ）
T
A
= 25°C
参数
Q1
30
±20
8.6
20
2.0
1.6
0.9
-55到+150
°C
W
Q2
-30
±25
-7.3
-20
单位
V
V
A
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1 ）
（注1A ）
40
78
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS8858CZ
设备
FDS8858CZ
包
SO-8
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2007仙童半导体公司
FDS8858CZ Rev.B的
1
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MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
-30
22
22
1
-1
±10
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.6A ，T
J
= 125°C
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.6A
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.3A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 5V ，我
D
= 8.6A
V
DS
= -5V ，我
D
= -7.3A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
-1
1.6
-2.1
-5.4
-6.0
12.4
15.2
17.7
17.1
26.5
24.0
27
21
17.0
20.0
24.3
20.5
34.5
28.8
3
-3
V
毫伏/°C的
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
m
Q2
Q1
Q2
g
FS
正向跨导
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q2
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
905
1675
180
290
110
260
1.3
4.4
1205
2230
240
390
165
390
pF
pF
pF
F = 1MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
Q2
V
GS
= -10V, V
DD
= -15V ，我
D
= -7.3A
Q1
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.6A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -15V ，我
D
= -7.3A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 6
Q1
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8.6A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
9
3
10
19
33
3
16
17
33
2.7
6.1
3.4
8.5
14
18
10
20
35
53
10
29
24
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
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2
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电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项：
1. R
θJA
是结点到外壳和外壳到环境的热阻，其中热的情况下引用德网络定义为漏极引脚焊锡安装面的总和。
R
θJC
由设计，同时保证
R
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一） 78 ° C / W时，
安装在一个0.5
2
2盎司纯铜垫
B） 125 ° C / W时，
安装在一个0.02
2
2盎司纯铜垫
C） 135 ° C / W时，
安装在一
minimun垫
源极到漏极二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
= 8.6A
V
GS
= 0V时，我
S
= -7.3A
Q1
I
F
= 8.6A ，的di / dt = 100A / S
Q2
I
F
= -7.3A ，的di / dt = 100A / S
（注2 ）
（注2 ）
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.8
0.9
25
28
19
22
1.2
-1.2
38
42
29
33
V
ns
nC
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
20
归
漏极至源极导通电阻
3.0
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 3.5V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 3.0V
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
16
I
D
，漏电流（ A）
2.5
2.0
V
GS
= 3.5V
12
8
4
0
0
V
GS
= 3.0V
1.5
1.0
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
0.5
0
4
8
12
16
20
I
D
，漏电流（ A）
1
2
3
4
V
DS
，漏源极电压（ V）
图1.开 - 地区特点
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
35
源导通电阻
(
m
)
归
漏极至源极导通电阻
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-75
I
D
= 8.6A
V
GS
= 10V
I
D
= 8.6A
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
30
25
T
J
= 125
o
C
r
DS （ ON）
，沥去
20
15
10
2
4
6
8
10
V
GS
，门源电压（ V）
T
J
= 25
o
C
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温
(
o
C
)
图3.归在 - 电阻
VS结温
20
16
I
D
，漏电流（ A）
V
DS
= 5V
I
S
,
反向漏电流（ A）
脉冲持续时间= 80
s
占空比= 0.5 ％ MAX
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
12
T
J
=
25
o
C
0.1
8
4
0
0
T
J
= 150
o
C
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
1
2
3
4
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
GS
，门源电压（ V）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
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典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
,
门源电压（ V）
I
D
= 8.6A
3000
C
国际空间站
V
DD
= 10V
V
DD
= 15V
8
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
,
栅极电荷（ NC）
电容（pF）
1000
C
OSS
V
DD
= 20V
C
RSS
100
50
0.1
F = 1MHz的
V
GS
= 0V
1
10
V
DS
，漏源极电压（ V）
30
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
10
I
g
,
栅极漏电流（ A）
-3
20
I
AS
，雪崩电流（ A）
V
DS
= 0V
10
10
-4
T
J
= 125
o
C
T
J
=
T
J
= 125
o
C
25
o
C
10
-5
T
J
= 25
o
C
10
-6
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
100
10
-7
0
5
10
15
20
25
30
V
GS
,
门源电压（ V）
图9.松开电感
交换能力
8
I
D
,
漏电流（ A）
图10.栅极漏电流与门极
源极电压
50
I
D
，漏电流（ A）
6
V
GS
= 10V
10
1ms
4
V
GS
= 4.5V
1
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
10ms
100ms
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 135℃ / W
T
A
= 25
o
C
o
2
R
θ
JA
= 78℃ / W
o
0.1
1s
10s
DC
0
25
50
75
100
125
o
150
0.01
0.1
1
10
80
T
A
,
环境温度
(
C
)
V
DS
，漏源极电压（ V）
图11.最大连续漏极
电流与环境温度
图12.正向偏置安全
工作区
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