FDS8858CZ双N & P沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= -250μA ，V
GS
= 0V
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
DS
= 24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±25V, V
DS
= 0V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
-30
22
22
1
-1
±10
±10
V
毫伏/°C的
A
A
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250A
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250A
I
D
= 250μA ，引用至25℃
I
D
= -250μA ，参考25 ℃下
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.6A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 7.3A
V
GS
= 10V ，我
D
= 8.6A ，T
J
= 125°C
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.3A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -5.6A
V
GS
= -10V ，我
D
= -7.3A ，T
J
= 125°C
V
DS
= 5V ，我
D
= 8.6A
V
DS
= -5V ，我
D
= -7.3A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1
-1
1.6
-2.1
-5.4
-6.0
12.4
15.2
17.7
17.1
26.5
24.0
27
21
17.0
20.0
24.3
20.5
34.5
28.8
3
-3
V
毫伏/°C的
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
m
Q2
Q1
Q2
g
FS
正向跨导
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q1
V
DS
= 15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q2
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
905
1675
180
290
110
260
1.3
4.4
1205
2230
240
390
165
390
pF
pF
pF
F = 1MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
Q2
V
GS
= -10V, V
DD
= -15V ，我
D
= -7.3A
Q1
V
DD
= 15V ，我
D
= 8.6A,
V
GS
= 10V ，R
根
= 6
Q2
V
DD
= -15V ，我
D
= -7.3A,
V
GS
= -10V ，R
根
= 6
Q1
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V ，我
D
= 8.6A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
9
3
10
19
33
3
16
17
33
2.7
6.1
3.4
8.5
14
18
10
20
35
53
10
29
24
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2007仙童半导体公司
FDS8858CZ Rev.B的
2
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