FDS6982AS
典型特征
（续）
SyncFET肖特基体二极管
特征
飞兆半导体的SyncFET过程中嵌入了一个肖特基二极管
同的PowerTrench MOSFET并联。该二极管
表现出相似的特性的离散外部
肖特基二极管与MOSFET并联。
图23
示出的反向恢复特性
FDS6982AS.
肖特基势垒二极管的表现显著泄漏
在高温和高的反向电压。这将
增加了设备的功率。
0.1
I
DSS
，反向漏电流（ A）
T
A
= 125
o
C
0.01
0.001
T
A
= 100
o
C
电流： 1.6A / DIV
0.0001
0.00001
T
A
= 25
o
C
0.000001
0
5
10
15
20
V
DS
，反向电压（V）的
25
30
图25. SyncFET体二极管的反向
漏与漏 - 源电压和
温度
时间：为10ns / DIV
图23. FDS6982AS SyncFET体
二极管的反向恢复特性。
为了比较的目的，
图24
示出的反向
的体二极管的恢复特性
无SyncFET生产规模相当于MOSFET
(FDS6982).
电流： 1.6A / DIV
时间：为10ns / DIV
图24.非SyncFET （ FDS6982 ）体
二极管的反向恢复特性。
FDS6982AS版本
B
