FDS6982AS
典型特征： Q2
30
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
3.0V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V
GS
= 2.5V
I
D
，漏电流（ A）
4.5V
3.5V
20
3.0V
3.5V
4.0V
4.5V
6.0V
10V
10
2.5V
0
0
0.5
1
1.5
V
DS
，漏源电压（V ）
2
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.05
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.4
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 8.6A
V
GS
= 10V
1.2
I
D
= 4.3 A
0.04
0.03
T
A
= 125 C
0.02
o
1
0.8
0.01
T
A
= 25 C
o
0.6
-50
-25
0
25
50
75
o
T
J
，结温（ C）
100
125
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图3.导通电阻变化与
温度。
30
V
DS
= 5V
25
I
D
，漏电流（ A）
图4.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
10
V
GS
= 0V
20
I
S
，反向漏电流（ A）
1
T
A
= 125 C
25 C
o
o
15
T
A
= 125 C
10
-55
o
C
o
0.1
-55
o
C
5
25
o
C
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.01
0
0.2
0.4
0.6
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
0.8
图5.传输特性。
图6.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6982AS版本
B
