FDS6982AS
典型特征Q1
20
2.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
4.0V
3.5V
V
GS
= 3.0V
16
I
D
，漏电流（ A）
6.0V
2.2
12
4.5V
1.8
3.5V
8
3.0V
1.4
4.0V
4.5V
6.0V
4
1
10V
0
0
1
V
DS
，漏源电压（V ）
2
0.6
0
5
10
I
D
，漏电流（ A）
15
20
图12.在区域特征。
图13.导通电阻变化与
漏电流和栅极电压。
0.1
R
DS （ ON）
，导通电阻（ OHM ）
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
= 6.3A
V
GS
= 10V
I
D
= 3.15 A
0.08
1.4
1.2
0.06
T
A
= 125 C
0.04
o
1
0.8
0.02
T
A
= 25
o
C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
o
T
J
，结温（ C）
125
150
0
2
4
6
8
V
GS
，门源电压（ V）
10
图14.导通电阻变化与
温度。
20
图15.导通电阻变化与
栅极 - 源极电压。
100
I
S
，反向漏电流（ A）
V
DS
= 5V
V
GS
= 0V
10
1
0.1
-55 C
o
I
D
，漏电流（ A）
15
T
A
= 125 C
25
o
C
o
10
T
A
= 125
o
C
-55 C
o
0.01
5
25
o
C
0.001
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图16.传输特性。
图17.体二极管正向电压的变化
与源电流和温度。
FDS6982AS版本
B
