FDS6982AS
2005年3月
FDS6982AS
概述
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
最大值= 13.5mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
最大值= 16.5mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 21nC典型值）
Q1:
优化的低开关损耗
R
DS （ ON）
最大值= 22.0mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
最大值= 29.0mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 11nC典型值）
该FDS6982AS被设计来取代两个单SO-
8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6982AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
效率。高侧开关（Q1）被设计用
特别强调降低开关损耗，同时
低侧开关（Q2 ）被优化，以减少
传导损耗。 Q2还包括一个集成
利用飞兆半导体的整体SyncFET肖特基二极管
技术。
8.6A ， 30V
6.3A ， 30V
应用
笔记本
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±20
6.3
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
漏电流
±20
8.6
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6982AS
FDS6982AS
FDS6982AS
设备
FDS6982AS
FDS6982AS_NL
（注4 ）
FDS6982AS_NF40
（注5 ）
带尺寸
13”
13”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
2500台
FDS6982AS版本A1 （ X）
2005
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6982AS
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值最大值单位
开关特性
Q
g
（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2:
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.5A
Q1:
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
21
11
12
6
3.1
1.8
3.6
2.4
30
15
16
9
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
T
rr
Q
rr
T
rr
Q
rr
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 11.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
I
F
= 6.3 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
V
GS
= 0 V，I
S
= 3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 6 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
3.0
1.3
19
12
20
9
0.5
0.6
0.8
0.7
1.0
1.2
A
ns
nC
ns
nC
V
（注3）
Q2
Q2
Q1
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
2
2个0.5英寸盘
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4.
FDS6982AS_NL是无铅产品。该FDS6982AS_NL标志将出现在卷标上。
5.
FDS6982AS_NF40是无铅产品。该FDS6982AS_NF40标志将出现在卷标上。
FDS6982AS版本A1 （ X）
FDS6982AS
2008年5月
FDS6982AS
概述
TMM
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
最大值= 13.5mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
最大值= 16.5mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 21nC典型值）
Q1:
优化的低开关损耗
R
DS （ ON）
最大值= 28.0mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX`
35.0m
@ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 11nC典型值）
该FDS6982AS被设计来取代两个单SO-
8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6982AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
效率。高侧开关（Q1）被设计用
特别强调降低开关损耗，同时
低侧开关（Q2 ）被优化，以减少
传导损耗。 Q2还包括一个集成
利用飞兆半导体的整体SyncFET肖特基二极管
技术。
8.6A ， 30V
6.3A ， 30V
应用
笔记本
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±20
6.3
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
±20
8.6
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6982AS
设备
FDS6982AS
带尺寸
13”
胶带宽度
12mm
QUANTITY
2500台
2008
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6982AS版本
B1
FDS6982AS
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值最大值单位
开关特性
Q
g
（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2:
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.5A
Q1:
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
21
11
12
6
3.1
1.8
3.6
2.4
30
15
16
9
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
T
rr
Q
rr
T
rr
Q
rr
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 11.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
I
F
= 6.3 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
V
GS
= 0 V，I
S
= 3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 6 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
3.0
1.3
19
12
20
9
0.5
0.6
0.8
0.7
1.0
1.2
A
ns
nC
ns
nC
V
（注3）
Q2
Q2
Q1
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
2
2个0.5英寸盘
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4
5
FDS6982AS版本
B1
FDS6982AS
十二月
2006
FDS6982AS
概述
tm
双笔记本电源n沟道PowerTrench
SyncFET
特点
Q2:
优化，以最大限度地减少传导损耗
包括SyncFET肖特基体二极管
R
DS （ ON）
最大值= 13.5mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
最大值= 16.5mΩ @ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 21nC典型值）
Q1:
优化的低开关损耗
R
DS （ ON）
最大值= 28.0mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
MAX`
35.0m
@ V
GS
= 4.5V
低栅极电荷（ 11nC典型值）
该FDS6982AS被设计来取代两个单SO-
8 MOSFET和同步肖特基二极管
DC：直流电源，可提供各种外设
电压为笔记本电脑和其它电池
供电的电子设备。 FDS6982AS包含两个
独特30V， N沟道，逻辑电平，的PowerTrench
MOSFET的设计，最大限度地提高电源转换
效率。高侧开关（Q1）被设计用
特别强调降低开关损耗，同时
低侧开关（Q2 ）被优化，以减少
传导损耗。 Q2还包括一个集成
利用飞兆半导体的整体SyncFET肖特基二极管
技术。
8.6A ， 30V
6.3A ， 30V
应用
笔记本
D1
D1
D2
D2
S1
G1
5
6
7
Q1
4
3
2
Q2
SO-8
S2
8
1
G2
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
漏源电压
栅源电压
漏电流
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
Q2
30
（注1A ）
Q1
30
±20
6.3
20
2
1.6
1
0.9
-55到+150
单位
V
V
A
W
- 连续
- 脉冲
功耗双操作
功率消耗单操作
±20
8.6
30
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
T
J
, T
英镑
工作和存储结温范围
°C
热特性
R
θJA
R
θJC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
78
40
° C / W
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDS6982AS
FDS6982AS
FDS6982AS
设备
FDS6982AS
FDS6982AS_NL
（注4 ）
FDS6982AS_NF40
（注5 ）
带尺寸
13”
13”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
12mm
QUANTITY
2500台
2500台
2500台
FDS6982AS版本
B
2006
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
FDS6982AS
电气特性
符号
参数
（续）
T
A
= 25 ° C除非另有说明
测试条件
（注2 ）
键入敏
典型值最大值单位
开关特性
Q
g
（ TOT ）
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷在VGS = 10V
总栅极电荷在VGS = 5V
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
Q2:
V
DS
= 15 V，I
D
= 11.5A
Q1:
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.3A
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
（注3）
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
21
11
12
6
3.1
1.8
3.6
2.4
30
15
16
9
nC
nC
nC
nC
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
T
rr
Q
rr
T
rr
Q
rr
V
SD
最大连续漏源二极管的正向电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复时间
反向恢复电荷
漏源二极管正向
电压
I
F
= 11.5 A,
d
iF
/d
t
= 300 A / μs的
I
F
= 6.3 A,
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
V
GS
= 0 V，I
S
= 3 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 6 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.3 A
3.0
1.3
19
12
20
9
0.5
0.6
0.8
0.7
1.0
1.2
A
ns
nC
ns
nC
V
（注3）
Q2
Q2
Q1
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
a)
78 ° C / W时，
安装在一
2
2个0.5英寸盘
盎司铜
b)
125 ° C / W时，
安装在一
2
在垫0.02
2盎司铜
c)
135 ° C / W时，
安装在一
最小焊盘。
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
3.
请参阅“ SyncFET肖特基体二极管的特性”的。
4.
FDS6982AS_NL是无铅产品。该FDS6982AS_NL标志将出现在卷标上。
5.
FDS6982AS_NF40是无铅产品。该FDS6982AS_NF40标志将出现在卷标上。
FDS6982AS版本
B
QQ：2880707522 复制
