多用途闪存+ PSRAM + ComboMemory
SST32HF64A2
初步规格
T
WCS
解决了
MSS
3
-0
T
ASTS
T
WPS
T
WRS
WE＃
T
AWS
T
BWS
BES1#
T
BYWS
瑞银＃ ，LBS ＃
T
ODWS
T
DSS
DQ
15-8,
DQ
7-0
注2
T
OEWS
T
美国国土安全部
注2
1299 F04b.0
有效的数据在
注意：
1.如果OE ＃为高电平期间写周期，输出将保持在高阻抗。
2.如果BES1 ＃变低重合或之后WE＃变为低电平时，输出将保持在高阻抗。
如果BES1 ＃变高重合或之前WE＃为高电平时，输出将保持在高阻抗。
由于
IN
信号可以是在此时的输出状态，相反极性的输入信号不能被应用。
3. A
MSS
=最重要PSRAM地址
A
MSS
= A
19
对于SST32HF64A2
图5 ： PSRAM写周期时序图SST32HF64A2 （ WE＃控制）
1
2006硅存储技术公司
S71299-02-000
11/06
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