多用途闪存+ PSRAM + ComboMemory
SST32HF64A2
初步规格
表8 ：推荐系统上电时序
符号
T
PU-READ1
T
PU-WRITE1
参数
上电到读操作
上电到编程/擦除操作
最低
100
100
单位
s
s
T8.0 1299
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表9 ：电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1 MHz，其他引脚开路）
参数
C
I/O1
C
IN1
描述
I / O引脚的电容
输入电容
测试条件
V
I / O
= 0V
V
IN
= 0V
最大
12 pF的
12 pF的
T9.0 1299
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：闪存可靠性特性
符号
N
END1
T
DR1
I
LTH1
参数
耐力
数据保留
闭锁
最小规格
10,000
100
100 + I
DD
单位
周期
岁月
mA
测试方法
JEDEC标准A117
JEDEC标准A103
JEDEC标准78
T10.0 1299
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
2006硅存储技术公司
S71299-02-000
11/06
14
