多用途闪存+ PSRAM + ComboMemory
SST32HF64A2
SST32HF64A1 / 64B164Mb闪存+的4Mb SRAM ，32MB闪存+ 8Mb的SRAM
（ X16 ） MCP ComboMemories
初步规格
产品特点：
ComboMemories组织为：
- SST32HF64A2 ： 4M闪存X16 + X16 1024K PSRAM
单2.7-3.3V读写操作
并发操作
- 读取或写入PSRAM ，而
擦除/编程闪存
卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
低功耗：
- 工作电流：15 mA（典型值）的
闪存或PSRAM阅读
- 待机电流： 60 μA （典型值）
灵活的擦除能力
- 统一2K字扇区
- 统一32K字块大小
擦除暂停/擦除恢复功能
安全-ID功能
- SST ： 128位;用户： 128位
快速读取访问时间：
- 闪光： 70纳秒
- PSRAM ： 70纳秒
硬件块保护/ WP ＃输入引脚
- 热门块保护（上32K字）
对于SST32HF64A2
锁存地址和数据的闪存
闪存快速擦除和字编程：
- 扇区擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 芯片擦除时间： 40毫秒（典型值）
- 字编程时间： 7 μs（典型值）
闪光灯自动擦除和编程定时
- 内部V
PP
GENERATION
Flash检测写操作结束的
- 触发位
- 数据＃投票
CMOS I / O兼容性
JEDEC标准命令集
封装
- 56球LFBGA （8毫米X 10毫米x10 1.4毫米）
- 64球LFBGA （8毫米X 10毫米x10 1.4毫米）
所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST32HF64A2 ComboMemory器件集成了一个
用CMOS PseudoSRAM CMOS闪存银行
在一个多芯片封装（MCP ）（ PSRAM ）存储体，
采用SST专有的高性能制造
SuperFlash技术。
拥有高性能的字编程，闪光
记忆银行提供的最大字编程时间
7微秒。为了防止意外闪存写入时，
SST32HF64A2器件包含片上硬件和软件
洁具的数据保护方案。该SST32HF64A2设备
提供了10000次循环，和数据保证的耐力
保持大于100年。
该SST32HF64A2装置由两个独立的
存储体，每个使能信号。闪光灯和
PSRAM存储体叠加在同一
内存地址空间，两岸有着共同的
地址线，数据线， WE＃和OE ＃ 。内存
银行正在使用的存储器组使能信号选择。
该银行PSRAM使能信号， BES1 ＃ ，选择
PSRAM银行。闪速存储器组使能信号，
2006硅存储技术公司
S71299-02-000
11/06
1
BEF ＃ ，选择快闪记忆库。在WE ＃信号
与软件数据保护（ SDP ）命令中使用
顺序控制擦除和编程操作时，
系统蒸发散在闪速存储器区块。在SDP命令
序列可保护存储在快闪存储器中的数据
意外改变银行。
该SST32HF64A2提供的附加功能
能够同时读取或写入的
PSRAM的银行，而在闪存擦除或编程
记忆库。该PSRAM存储体，可以阅读或
写闪存时，银行执行以部门
擦除，银行擦除，或字编程兼任。所有
闪存擦除和编程操作将automati-
美云锁存输入地址和数据信号，并完成
该操作在后台无需进一步输入激励
所需。一旦内部控制擦除或编程
周期闪光灯银行开始时， PSRAM银行就可以
访问进行读取或写入。
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
MPF +和ComboMemory均为Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
