多用途闪存+ PSRAM + ComboMemory
SST32HF64A2
初步规格
该SST32HF64A2装置适合于应用
同时使用的闪存和PSRAM存储器，用于存储代码
或数据，并且非常适合于要求低功耗系统和
小巧的外形。该SST32HF64A2显著
提高性能和可靠性，同时降低功耗
食用时多芯片解决方案相比。
所消耗的总能量是所施加电压的函数的
年龄，电流和应用的时间。因为对于任何给定
电压范围， SuperFlash技术使用更少的电流
租来编程，并且具有擦除时间更短，总
在任何擦除或编程操作所消耗的能量
低于其他闪存技术。
SuperFlash技术提供固定的擦除和亲
克倍，独立擦除的数量/程序
已经发生的周期。因此，系统软件
或硬件没有被修改或降额，是
必要时与其他闪存技术，其擦除
并积累了擦除/编程亲次数的增加
克周期。
并行读/写状态表
FL灰
编程/擦除
编程/擦除
PSRAM
读
写
该设备将忽略所有的SDP命令时擦除
或编程操作正在进行中。需要注意的是产品
识别命令使用SDP ;因此，这些的COM
指令都会还可以同时擦除或编程忽视
操作正在进行中。
Flash读操作
该SST32HF64A2的读操作是由控制
BEF ＃和OE ＃ 。两者都要低，与WE＃高，对
该系统以获得从所述输出数据。 BEF ＃使用
闪存的银行选择。当BEF ＃为高时，
芯片被取消，只待机功耗。
OE＃为输出控制中，通过使用栅极数据
输出管脚。数据总线是在高阻抗状态
OE ＃为高电平。请参考图7为进一步的细节。
设备操作
该SST32HF64A2使用BES1 ＃ ， BES2和BEF ＃为CON组
无论是闪存或PSRAM存储器的控制操作
银行。当BEF ＃为低电平时，闪光灯银行为激活
读取，编程或擦除操作。当BES1 ＃低
和BES2高， PSRAM是用于读取和激活
写操作。 BEF ＃和BES1 ＃不能在低的水平，
和BES2不能处于高电平的同时。
如果所有的
银行的使能信号有效，总线争用会
导致与该设备可能遭受永久性损坏。
所有地址，数据和控制线通过快速共享和
PSRAM存储体，最大限度地减少电力消耗
化和加载。该器件进入待机状态时， BEF ＃
和BES1 ＃银行能够提高到V
IHC
（逻辑高电平）或
当BEF ＃为高电平并且BES2低。
闪字编程操作
该SST32HF64A2的闪存银行亲
编程就一个字，用字的基础。项目操作前
系统蒸发散，内存必须首先擦除。该计划
操作包括三个步骤。
1.将软件数据的三字节序列
保护。
2.负载字地址，字数据。在
字编程操作时，地址是
锁存的任BEF ＃或WE ＃的下降沿，
为准过去。该数据被锁存的
任BEF ＃或WE ＃上升沿为准
先发生。
3.启动后内部编程操作
第四WE＃或BEF ＃上升沿为准
先发生。编程操作，一旦initi-
ated ，将完成，在10微秒。参见图
8和9 WE ＃和BEF ＃控制程序
操作时序图，图23为液流 -
图表。
在编程操作期间，唯一有效的闪光灯阅读
操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。在命令序列期间， WP＃应
静态地保持为高电平或低电平。任何SDP命令加载
内部编程操作期间将被忽略。
并行读/写操作
该SST32HF64A2提供的是独特的好处
能够读取或写入PSRAM中，同时
擦除或编程的Flash 。这允许数据替代方案
ATION代码从PSRAM中执行的，而改变
在Flash中的数据。参见图28为一个流程图。以下
表中列出了所有有效状态。
2006硅存储技术公司
S71299-02-000
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