多用途闪存+ PSRAM + ComboMemory
SST32HF64A2
初步规格
表7 ：直流工作特性（V
DD
= V
DDF
和V
DDS
= 2.7-3.3V)
范围
符号
I
DD
参数
积极V
DD
当前
读
FL灰
PSRAM
并发操作
写
1
FL灰
PSRAM
I
SB
I
SBP
I
RT
I
LI
I
LO
V
IL
V
ILC
V
IH
V
IHC
V
OLF
V
OHF
V
OLS
V
OHS
待机V
DD
当前
深度掉电： PSRAM
RESET
V
DD
当前
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入低电压（ CMOS ）
输入高电压
输入高电压（ CMOS ）
闪光输出低电压
闪光输出高电压
PSRAM输出低电压
PSRAM输出高电压
2.2
0.7
V
DD
35
30
135
10
30
1
10
0.8
0.2
mA
mA
A
A
A
A
A
V
V
V
V
0.2
V
V
0.4
V
V
18
30
40
mA
mA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT ，
在f = 5MHz时，
V
DD
=V
DD
马克斯，所有的DQ打开
OE ＃ = V
IL
， WE＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IL
， BES1 ＃ = V
IH
或BES2 = V
IL
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
WE＃ = V
IL
BEF ＃ = V
IL
， BES1 ＃ = V
IH
或BES2 = V
IL
， OE ＃ = V
IH
BEF ＃ = V
IH
， BES1 ＃ = V
白细胞介素，
BES2=V
IH
V
DD
= V
DD
马克斯， BEF ＃ = BES1 ＃ = V
IHC
， BES2 = V
IHC
BES2=V
国际劳工大会，
BEF ＃ = V
IHC
RESETはV
SS
±0.3V
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -100 μA ，V
DD
=V
DD
民
I
OL
= 1毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OL
= -500 μA ，V
DD
=V
DD
民
T7.0 1299
V
DD
-0.3
V
DD
-0.2
1. I
DD
同时积极擦除或编程正在进行中。
2006硅存储技术公司
S71299-02-000
11/06
13
