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互联网数据表
HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A
无缓冲DDR2 SDRAM模组
1 ）有关详细信息和注意事项请参阅相关的奇梦达的组件数据表
2)
V
DDQ
= 1.8 V
±
0.1 V;
V
DD
= 1.8 V
±0.1
五，注意事项见
5)6)7)8)
3 ）定时未指定的是非法的，并且这样的事件后，为了保证正确的操作，所述DRAM必须关机
然后，通过指定的初始化序列之前重新启动正常操作可以继续。
4 ）时序，保证以2.0 V / ns的CK / CK差分压摆率。对于DQS信号的时间，保证了差分压摆
率2.0 V /差分频闪模式和单端模式1 V / ns的压摆率纳秒。
5）将CK / CK输入参考电平（用于定时参考CK / CK）为在该点CK和CK交叉。在DQS / DQS ， RDQS / RDQS ，
输入参考电平，当差分选通模式的交叉点。
6 ）输入无法识别为有效，直到
V
REF
稳定。在之前的期间
V
REF
稳定， CKE = 0.2×
V
DDQ
被识别为低电平。
7）的输出时序参考电压电平是
V
TT
.
8）对于每一条款，如果尚未的整数，舍入到下一个最高的整数。
t
CK
指该应用程序的时钟周期。 WR指
储存在MR中的WR参数。
9 ）时钟频率，允许在自刷新模式或预充电掉电模式改变。
10 ）对于时间的定义，指的是组件数据表。
11）下设数据引脚歪斜和输出模式的影响，和p沟道的输出驱动器的n沟道型的变化以及输出压摆率
在任何给定的周期的DQS / DQS和相关联的DQ之间的错配。
12 ）， MIN （
t
CL
,
t
CH
）指的是实际的时钟为低的时间较小的和实际的时钟高时间作为提供给所述装置（即该值可
大于该最小规格界限
t
CL
和
t
CH
).
13）
t
HZ
,
t
RPST
和
t
LZ
,
t
RPRE
参数是参照一个特定的电压电平，用于指定当该装置输出不再驱动
(
t
赫兹，
t
RPST
） ，或者开始驱动（
t
LZ ，
t
RPRE
).
t
HZ
和
t
LZ
转换发生在相同的访问时间窗作为有效数据transitions.These
参数由设计和特性验证，但未经生产测试。
14）自动刷新命令间隔已被在之间85的温度范围内操作的DDR2 DRAM时减少到3.9微秒
°C
和95
°C.
15) 0 °C≤
T
例
≤
85
°C
16) 85
° ℃下
T
例
≤
95
°C
17 ）最多八个自动刷新命令，可以发布到任何给定的DDR2 SDRAM器件。
18）
t
RRD
定时参数取决于DRAM的组织的页面大小。看
表2 “订购的RoHS信息
第4页上符合标准的产品。“
19）的最大限制为
t
WPST
参数不是设备的限制。该器件采用此参数的更大的价值，但系统
性能（总线周转）相应降低。
20 ） WR必须通过编程来实现的最低要求
t
WR
时序参数，其中，
WR
民
[次] =
t
WR
（ NS ） /
t
CK
（ NS ）四舍五入
到下一个整数值。
t
DAL
= WR + （
t
RP
/
t
CK
） 。对于每个方面，如果不是已经整数，舍入到下一个最高的整数。
t
CK
指该应用程序的时钟周期。 WR是指存储在梁中的WR参数。
21 ）最低
t
WTR
是在工作频率的DDR2 -SDRAM当两个钟
≤ 200 ΜΗz.
22 ）用户可以选择两种不同的活性掉电模式进一步节电通过MRS地址位A12 。在“标准的主动加电
断模式“ （MR ，A12 =”0“ ）快速掉电出口定时
t
XARD
都可以使用。在“低有效省电模式” （MR ， A12 = “ 1 ” ）慢
掉电退出时机
t
XARDS
必须被满足。
牧师1.41 ， 2006-11
03062006-0GN5-WTPW
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