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互联网数据表
HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A
无缓冲DDR2 SDRAM模组
参数
符号
DDR2–533
分钟。
马克斯。
7.8
3.9
—
—
—
1.1
0.60
—
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
记
1)2)3)4)5)
6)7)
平均周期刷新间隔
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
预充电所有（4个）命令时期
预充电所有（ 8家银行）命令时期
阅读序言
阅读后同步
活跃银行A到活动组B命令
期
内部读取到预充电命令延迟
写序言
写后同步
写恢复时间写不自动 -
预充电
写恢复时间写与自动 -
预充电
内部写读命令延迟
退出掉电到任何有效的命令
（除NOP或取消除外）
主动退出掉电模式下阅读
命令（慢射，更低的功耗）
退出预充电掉电任何有效
命令（除NOP或取消除外）
退出自刷新非读命令
退出自刷新读取命令
t
REFI
t
RFC
t
RP
t
RP
t
RPRE
t
RPST
t
RRD
t
RTP
t
WPRE
t
WPST
t
WR
WR
—
—
75
s
s
ns
ns
ns
14)15)
16)18)
17)
t
RP
+ 1
t
CK
15 + 1
t
CK
0.9
0.40
7.5
10
7.5
0.25
0.40
15
t
CK
t
CK
ns
ns
ns
14)
14)
14)18)
16)20)
t
CK
t
CK
ns
19)
t
WR
/
t
CK
7.5
2
6 - AL
2
t
CK
ns
20)
t
WTR
t
XARD
t
XARDS
t
XP
t
XSNR
t
XSRD
21)
22)
t
CK
t
CK
t
CK
ns
22)
t
RFC
+10
200
t
CK
1 ）有关详细信息和注意事项请参阅相关的奇梦达的组件数据表
2)
V
DDQ
= 1.8 V
±
0.1 V;
V
DD
= 1.8 V
±0.1
五，注意事项见
5)6)7)8)
3 ）定时未指定的是非法的，并且这样的事件后，为了保证正确的操作，所述DRAM必须关机
然后，通过指定的初始化序列之前重新启动正常操作可以继续。
4 ）时序，保证以2.0 V / ns的CK / CK差分压摆率。对于DQS信号的时间，保证了差分压摆
率2.0 V /差分频闪模式和单端模式1 V / ns的压摆率纳秒。
5）将CK / CK输入参考电平（用于定时参考CK / CK）为在该点CK和CK交叉。在DQS / DQS ， RDQS / RDQS ，
输入参考电平，当差分选通模式的交叉点。
6 ）输入无法识别为有效，直到
V
REF
稳定。在之前的期间
V
REF
稳定， CKE = 0.2×
V
DDQ
被识别为低电平。
7）的输出时序参考电压电平是
V
TT
.
8）对于每一条款，如果尚未的整数，舍入到下一个最高的整数。
t
CK
指该应用程序的时钟周期。 WR指
储存在MR中的WR参数。
9 ）时钟频率，允许在自刷新模式或预充电掉电模式改变。
10 ）对于时间的定义，指的是组件数据表。
11）下设数据引脚歪斜和输出模式的影响，和p沟道的输出驱动器的n沟道型的变化以及输出压摆率
在任何给定的周期的DQS / DQS和相关联的DQ之间的错配。
12 ）， MIN （
t
CL
,
t
CH
）指的是实际的时钟为低的时间较小的和实际的时钟高时间作为提供给所述装置（即该值可
大于该最小规格界限
t
CL
和
t
CH
).
牧师1.41 ， 2006-11
03062006-0GN5-WTPW
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