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HYS[64/72]T[16/32/64]0xxHU–[2.5/../5]–A
无缓冲DDR2 SDRAM模组
表21
ODT AC字符。和工作条件DDR2-533 & DDR2-400
符号
参数/条件
值
分钟。
马克斯。
2
单位
记
t
AOND
t
AON
t
AONPD
t
AOFD
t
AOF
t
AOFPD
t
ANPD
t
AXPD
ODT导通延迟
ODT开启
ODT开启（省电模式）
ODT关断延迟
ODT关闭
ODT关闭（省电模式）
ODT掉电模式进入潜伏期
ODT掉电退出延时
2
t
CK
ns
ns
1)
t
ac.min
t
ac.min
+ 2纳秒
2.5
t
AC.MAX
+ 1纳秒
2
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1纳秒
2.5
t
CK
ns
ns
2)
t
ac.min
t
ac.min
+ 2纳秒
3
8
t
AC.MAX
+ 0.6纳秒
2.5
t
CK +
t
AC.MAX
+ 1纳秒
—
—
t
CK
t
CK
1） ODT开启时间（min）是当设备离开高阻抗和ODT电阻将开始导通。 ODT开启时间最多是当
的ODT电阻完全导通。无论是从测量
t
AOND
，这是每个高速箱不同的解释。对于DDR2-400 / 533 ，
t
AOND
is
10纳秒（ = 2× 5纳秒）后注册的第一个ODT高，如果在时钟边沿
t
CK
= 5纳秒。
2） ODT关闭时间分钟。是在设备启动时，关闭的ODT电阻。 ODT关闭时间最多是在总线处于高阻态。
无论是从测量
t
AOFD
。无论是从测量
t
AOFD
，这是每个高速箱不同的解释。对于DDR2-400 / 533 ，
t
AOFD
is
12.5纳秒（ = 2.5× 5纳秒）后注册的第一个ODT高，如果在时钟边沿
t
CK
= 5纳秒。
牧师1.41 ， 2006-11
03062006-0GN5-WTPW
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