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IDT70T3509M
高速2.5V
1024K ×36双端口同步静态RAM
商业级温度范围
的流水线读 - 写阅读（ OE = V时序波形
IL
)
(2)
t
CYC2
t
CH2
t
CL2
CLK
CE
0
t
SC
t
HC
CE
1
t
SB
BE
n
t
HB
t
SW
t
HW
R/
W
t
SW
t
HW
地址
(3)
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
一个+ 2
t
SD
t
HD
DN + 2
一个+ 3
在+ 4
数据
IN
(1)
t
CD2
Qn
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
QN + 3
数据
OUT
读
NOP
(4)
写
读
5682 DRW 11
注意事项：
1.输出状态（高，低或高阻抗）是由前一周期的控制信号来确定。
2.
CE
0
,
BE
n
和
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN ，
和
重复
= V
IH
。 ＆ QUOT ; NOP ＆ QUOT ;是[否操作和QUOT ;.
3.地址不必被顺序地访问，因为
ADS
= V
IL
不断加载在CLK的上升沿的地址;号码
仅供参考使用。
4. "NOP"是"No Operation."数据在存储器的指定地址可能被破坏，并应被重新写入，以保证数据的完整性。
,
的流水线读 - 写阅读（时序波形
OE
控制）
(2)
t
CH2
CLK
CE
0
t
CYC2
t
CL2
t
SC
t
HC
CE
1
t
SB
BE
n
t
HB
t
SW
t
HW
R/
W
t
SW
t
HW
地址
(3)
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
t
SD
t
HD
一个+ 3
在+ 4
在+ 5
数据
IN
(1)
t
CD2
Qn
t
OHZ
(4)
DN + 2
DN + 3
t
CKLZ
t
CD2
QN + 4
数据
OUT
OE
,
注意事项：
5682 DRW 12
1.输出状态（高，低或高阻抗）是由前一周期的控制信号来确定。
2.
CE
0
,
BE
n
和
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN ，
和
重复
= V
IH
.
3.地址不必被顺序地访问，因为
ADS
= V
IL
不断加载在CLK的上升沿的地址;数字仅供参考
只使用。
4.本时间不符合最快的速度等级要求。该波形显示了如何在逻辑上也可以这样做，如果时间允许这样。
读
写
读
6.42
13
