IDT70T3509M
高速2.5V
1024K ×36双端口同步静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(3)
(V
DD
= 2.5V ± 100mV的）
70T3509MS133
Com'l
&工业
符号
I
DD
参数
工作动态
电流（两个
端口激活）
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
全待机电流
（这两个端口 - CMOS
电平输入）
全待机电流
（单端口 - CMOS
电平输入）
睡眠模式电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用，
f = f
最大
(1)
CE
L
=
CE
R
= V
IH
f = f
最大
(1)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(1)
这两个端口
CE
0L =
CE
0R
＆ GT ; V
DD
- 0.2V和
CE
1L =
CE
1R
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(2)
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
DDQ
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口，输出禁用，女= F
最大
(1)
ZZ
L =
ZZ
R =
V
IH
f=f
最大
(1)
测试条件
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
S
典型值。
(4)
800
800
560
560
680
680
20
20
680
680
20
20
马克斯。
1120
mA
1370
760
mA
940
880
mA
1090
60
mA
80
880
mA
1090
60
mA
80
5682 TBL 09
单位
I
SB1
(6)
I
SB2
(6)
I
SB3
I
SB4
(6)
IZZ
注意事项：
1.在f = F
最大
，地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的时钟周期
CYC
使用"AC测试CONDITIONS" 。
2， F = 0表示无地址，时钟，控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
4. V
DD
= 2.5V ，T
A
= 25℃典型值，而不是生产测试。我
DD DC
（ F = 0 ）= 30毫安（典型值） 。
5.
CE
X
= V
IL
手段
CE
0X
= V
IL
和CE
1X
= V
IH
（启用）
CE
X
= V
IH
手段
CE
0X
= V
IH
和CE
1X
= V
IL
（已禁用）
CE
X
＆ LT ; 0.2V手段
CE
0X
＆ LT ; 0.2V和CE
1X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V （已启用 - CMOS电平）
CE
X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V手段
CE
0X
＆ GT ; V
DD
- 0.2V和CE
1X
< 0.2V （禁用 - CMOS电平）
英寸× ＆ QUOT ;表示\u003e\u003e 1 ＆ QUOT ;左端口或＆ QUOT ; R QUOT ;为正确的端口。
6. I
SB1
, I
SB2
我
SB4
将全部达到满待机水平
(
I
SB3)
上的相应端口（多个）如果ZZ
L
和/或ZZ
R
= V
IH
.
6.42
8
