IDT70T3509M
高速2.5V
1024K ×36双端口同步静态RAM
商业级温度范围
时序读周期波形的流水线操作
（ FT / PIPE
'X'
= V
IH
)
(1,2)
t
CYC2
t
CH2
CLK
CE
0
t
CL2
t
SC
CE
1
t
SB
BE
n
t
HC
t
SC
(3)
t
HC
t
HB
t
SB
(5)
t
HB
R/
W
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
一个+ 1
（延迟1 ）
t
CD2
Qn
t
CKLZ
(1)
地址
(4)
An
一个+ 2
t
DC
QN + 1
一个+ 3
数据
OUT
QN + 2
t
OLZ
(5)
t
OHZ
OE
(1)
t
OE
5682 DRW 05
,
时序读周期波形的流量通输出
（ FT / PIPE
英寸× ＆ QUOT ;
= V
IL
)
(1,2,6)
t
CYC1
t
CH1
CLK
CE
0
t
CL1
t
SC
CE
1
t
SB
BEN
t
HC
t
SC
(3)
t
HC
t
HB
t
SB
t
HB
R/
W
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
一个+ 1
t
CD1
t
DC
Qn
t
CKLZ
QN + 1
t
OHZ
t
OLZ
一个+ 2
一个+ 3
t
CKHZ
QN + 2
(5)
t
DC
地址
(4)
An
数据
OUT
OE
(1)
5682 DRW 06
注意事项：
1.
OE
是异步控制;在上面的波形描述所有其它输入是同步的时钟上升沿。
2.
ADS
= V
IL
,
CNTEN
和
重复
= V
IH
.
3.输出禁用（高阻态）通过
CE
0
= V
IH
，CE
1
= V
IL
,
BE
n
= V
IH
下面的时钟的下一个上升沿。请参阅
真值表1 。
4.地址不必被顺序地访问，因为
ADS
= V
IL
不断加载在CLK的上升沿的地址;号码
仅供参考使用。
5.如果
BE
n
高，那么相应的数据的字节
OUT
对于尺寸Qn + 2将被禁用（高阻态） 。
6. "x"表示左或右端口。该图是相对于该端口。
t
OE
,
6.42
11
