IDT70T3509M
高速2.5V
1024K ×36双端口同步静态RAM
商业级温度范围
的时序波形流，通过读 - 写阅读（ OE = V
IL
)
(2)
t
CH1
CLK
t
CYC1
t
CL1
CE
0
t
SC
t
HC
CE
1
t
SB
BEN
t
HB
t
SW
t
HW
R/
W
t
SW
t
HW
地址
(3)
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
一个+ 2
t
SD
t
HD
一个+ 3
在+ 4
数据
IN
(1)
DN + 2
t
CD1
Qn
t
DC
读
t
CD1
QN + 1
t
CKHZ
(5)
NOP
t
CKLZ
写
t
CD1
t
CD1
QN + 3
t
DC
读
5682 DRW 13
数据
OUT
,
的时序波形流，通过读 - 写阅读（ OE控制）
(2)
t
CYC1
t
CH1
t
CL1
CLK
CE
0
t
SC
t
HC
CE
1
t
SB
BEN
t
HB
t
SW
t
HW
R/
W
地址
(3)
t
SW
t
HW
An
t
SA
t
HA
一个+1
一个+ 2
t
SD
t
HD
DN + 2
(1)
一个+ 3
在+ 4
在+ 5
数据
IN
t
CD1
Qn
t
OHZ
OE
DN + 3
t
DC
t
OE
t
CD1
t
CKLZ
t
CD1
QN + 4
t
DC
数据
OUT
读
写
读
,
5682 DRW 14
注意事项：
1.输出状态（高，低或高阻抗）是由前一周期的控制信号来确定。
2.
CE
0
,
BEN ，
和
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN ，
和
重复
= V
IH
.
3.地址不必被顺序地访问，因为
ADS
= V
IL
不断加载在CLK的上升沿的地址;号码是
参考使用。
4. "NOP"是"No Operation."数据在存储器的指定地址可能被破坏，并应被重新写入，以保证数据的完整性。
6.42
14
