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恩智浦半导体
BTA312B系列B和C
12三象限三端双向可控硅整流高
7.动态特性
表6 。
动态特性
条件
BTA312B-600B
BTA312B-800B
民
dV
D
/ DT
增长速度的
关闭状态
电压
V
DM
= 0.67
×
V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125
°C;
指数波形;门开路
1000
典型值
2000
-
BTA312B-600C
BTA312B-800C
典型值
-
最大
-
V / μs的
500
单位
符号参数
最大最小
dI
COM
变化的V / dt率
DM
= 400 V ;牛逼
j
= 125
°C;
I
T（ RMS ）
= 12 A;
of
无缓冲;门开路
换向
当前
t
gt
门控我
TM
= 20 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
开启时间
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
30
-
-
20
-
-
A / MS
-
2
-
-
2
-
s
1.6
V
GT
V
GT(25°C)
1.2
001aab101
3
(1)
001aac669
I
GT
I
GT(25°C)
2
(2)
(3)
0.8
1
0.4
50
0
50
100
T
j
(°C)
150
0
50
0
50
100
T
j
(°C)
150
（1） G- T2-
（2） T2 + G-
（3） T 2 + G +
看图7，归一化门极触发电压的函数
结温
图8.归一门极触发电流的函数
结温
BTA312B_SER_B_C_1
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产品数据表
版本01 - 2007年4月12日
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