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恩智浦半导体
BTA312B系列B和C
12三象限三端双向可控硅整流高
5.热特性
表4 。
符号
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
参数
条件
民
-
-
-
典型值
-
-
55
最大
2.0
1.5
-
单位
K / W
K / W
K / W
从结点到半周期的热阻;看
图6
安装底座
全周期;看
图6
从结点到安装在印刷热敏电阻
环境
电路板;最低限度
脚印
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
(1)
003aab775
10
1
(2)
P
10
2
t
p
t
10
3
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
t
p
(s)
10
（1）单向（半循环）
（ 2 ）双向（全循环）
图6.瞬态结点作为脉冲持续时间的函数热阻安装基座
BTA312B_SER_B_C_1
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产品数据表
版本01 - 2007年4月12日
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