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恩智浦半导体
BTA312B系列B和C
12三象限三端双向可控硅整流高
10
3
I
TSM
(A)
(1)
003aab691
10
2
I
T
I
TSM
t
t
p
T
J（下INIT ）
= 25
°C
最大
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
(s)
10
-1
t
p
≤
20毫秒
（1）的dI
T
/ dt限制
图3.非重复性峰值通态电流的脉冲持续时间的函数;最大值
003aab687
003aab686
50
I
T（ RMS ）
(A)
40
15
I
T（ RMS ）
(A)
10
30
20
5
10
0
10
-2
10
-1
1
10
浪涌持续时间（ S）
0
-50
0
50
100
150
T
mb
(°C)
F = 50赫兹
T
mb
= 101
°C
图4. RMS通态电流浪涌的功能
持续时间;最大值
图5. RMS通态电流为固定的函数
基础体温;最大值
BTA312B_SER_B_C_1
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产品数据表
版本01 - 2007年4月12日
4 12
