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恩智浦半导体
BTA312B系列B和C
12三象限三端双向可控硅整流高
6.静态特性
表5 。
静态特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号参数
条件
BTA312B-600B
BTA312B-800B
民
I
GT
门极触发
当前
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图8
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
L
闭锁电流V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A;看
图10
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
导通状态
电压
门极触发
电压
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A;看
图11
I
T
= 15 A;看
图9
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A;看
图7
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125
°C
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
1.3
0.8
0.4
0.1
60
90
60
60
1.6
1.5
-
0.5
-
-
-
-
-
-
0.25
-
-
-
-
-
1.3
0.8
0.4
0.1
50
60
50
35
1.6
1.5
-
0.5
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
2
2
2
-
-
-
50
50
50
2
2
2
-
-
-
35
35
35
mA
mA
mA
典型值
最大
BTA312B-600C
BTA312B-800C
民
典型值
最大
单位
截止电流V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125
°C
BTA312B_SER_B_C_1
NXP B.V. 2007年保留所有权利。
产品数据表
版本01 - 2007年4月12日
6 12
