512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
AC特性
表9 ：读周期时序参数V
DD
= 2.7-3.6V
(T
A
= 0 ° C至+ 70°C （商业） ）
SST37VF512-70
SST37VF010-70
SST37VF020-70
SST37VF040-70
符号
T
RC
T
CE
T
AA
T
OE
T
CLZ1
T
OLZ1
T
CHZ1
T
OHZ1
T
OH1
参数
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
输出启用访问时间
CE＃低电平至输出
OE ＃低到有源输出
CE＃高到高阻输出
OE ＃高到高阻输出
从地址变更输出保持
0
0
0
25
25
民
70
70
70
35
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
T9.3 1151
1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
表10 ：编程/擦除周期时序参数V
DD
= 2.7-3.6V
(T
A
= 25°C±5°C)
符号
T
BP
T
CES
T
CEH
T
AS
T
AH
T
DS
T
DH
T
PRT
T
VPS
T
VPH
T
PW
T
EW
T
VR
T
艺术
T
A9S
T
A9H
参数
字节编程时间
CE＃建立时间
CE＃保持时间
地址建立时间
地址保持时间
数据建立时间
数据保持时间
用于编程和擦除OE ＃上升时间
用于编程和擦除OE ＃安装时间
OE ＃保持时间的编程和擦除
WE＃编程脉冲宽度
WE＃擦除脉冲宽度
OE ＃ / A
9
恢复时间删除
A
9
上升时间为12V时擦除
A
9
擦除过程中建立时间
A
9
擦除过程中保持时间
1
1
1
1
1
1
50
1
1
15
100
1
50
1
1
25
200
民
最大
20
单位
s
s
s
s
s
s
s
ns
s
s
s
ms
s
ns
s
s
T10.1 1151
2006硅存储技术公司
S71151-07-000
8/06
7
