512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
SST37VF040 SST37VF020 SST37VF010 SST37VF512
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
NC
NC
A15
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
1
2
3
4
5
32-pin
6
PDIP
7
8
顶视图
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
SST37VF512 SST37VF010 SST37VF020 SST37VF040
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
NC
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
VDD
WE＃
A17
A14
A13
A8
A9
A11
OE ＃
A10
CE＃
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
1151 32 - PDIP P02b.1
图4 ：引脚分配为32引脚PDIP
表2 ：引脚说明
符号
A
MS1
-A
0
DQ
7
-DQ
0
CE＃
WE＃
OE ＃
V
DD
V
SS
NC
引脚名称
地址输入
数据输入/输出
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
电源
地
无连接
未连接引脚。
T2.1 1151
功能
提供的内存地址。
要在读周期输出数据，并在程序循环接收输入数据。
输出处于三态，当OE ＃或CE ＃为高电平。
要激活设备时， CE＃为低。
编程或擦除（ WE＃ = V
IL
编程或擦除时脉）
栅极读操作时，在较低的数据输出缓冲器
提供3.0V电源（ 2.7-3.6V ）
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
为SST37VF512 ，A
16
为SST37VF010 ，A
17
为SST37VF020 ，和A
18
为SST37VF040
表3 ：操作模式选择
模式
读
输出禁用
待机
芯片擦除
字节编程
编程/擦除禁止
产品标识
CE＃
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IL
X
X
V
IL
WE＃
V
IH
X
X
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IH
A
9
A
IN
X
X
V
H
A
IN
X
X
V
H
OE ＃
V
IL
V
IH
X
V
H
V
H
X
V
IL
或V
IH
V
IL
DQ
D
OUT
高Z
高Z
高Z
D
IN
高Z
高Z / D
OUT
制造商ID （ BFH ）
器件ID
1
地址
A
IN
A
IN
X
X
A
IN
X
X
A
MS2
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IL
A
MS2
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IH
T3.2 1151
1.设备ID = C4H为SST37VF512 ，C 5 H为SST37VF020 ， C6H为SST37VF020和C2H为SST37VF040
2. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
为SST37VF512 ，A
16
为SST37VF010 ，A
17
为SST37VF020 ，和A
18
为SST37VF040
注意：
X = V
IL
或V
IH
（或V
H
在案件OE ＃和A
9
)
V
H
= 11.4-12V
2006硅存储技术公司
S71151-07-000
8/06
4
