512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
表11 ：修订历史记录
数
02
03
描述
日期
2002年2月
2003年3月
2002数据手册
部分数的变化 - 请参阅第14页以获取更多信息
澄清的测试条件为V
DD
读取电流参数表4第5页
- 地址输入= V
ILT
/V
IHT
- CE ＃ = OE ＃ = V
ILT
2004年数据手册
添加的非铅MPNS和删除脚注（参见第14页）
除去90 ns的部分，相关的脚注和MPNS （参见第14页）
增加了70纳秒部件和MPNS的PH包
从10微秒改变的字节编程时间为15微秒
更新的芯片方案倍
分离超高压电流，以
9
和OE ＃表5第6页
添加的非铅32 PDIP MPNS为1 ，2和4兆位器件
在澄清“绝对最大极限”焊接温度曲线上
第5页
从12.6V改变的编程电压为12V全球
04
05
2003年11月
2004年5月
06
2004年12月
07
2006年8月
硅存储技术公司 1171索诺拉苑桑尼维尔， CA 94086 电话408-735-9110 传真408-735-9036
www.SuperFlash.com或www.sst.com
2006硅存储技术公司
S71151-07-000
8/06
18
