512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位多时间内可编程Flash
SST37VF512 / SST37VF010 / SST37VF020 / SST37VF040
数据表
开始
删除*
OE ＃ = VH
地址=第一个位置;
LOAD DATA
CE＃ = VIL
计划15 μs的脉冲
（ WE＃ = VIL ）
增量地址
No
最后一个地址？
是的
OE ＃ = VIL
等待TVR
阅读设备
比较所有字节
到原始数据
是的
No
设备传递
设备失败
1151 F09.2
*请参阅图10
图11 ：字节编程算法
2006硅存储技术公司
S71151-07-000
8/06
12
