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初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
图42.突发读取中断突发读取或写入
t
CLK
读突发中断与新的读或写操作。见注释2 。
CLK
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
有效
地址
t
SP
t
HD
有效
地址
A[21:0]
V
IH
V
IL
ADV ＃
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
t
CSP
t
SP
t
HD
CE＃
V
IH
V
IL
t
CEM
（注3）
t
SP
t
HD
t
HD
t
SP
t
HD
WE＃
V
IH
V
IL
t
KHTL
高-Z
等待
OE ＃
LB ＃ / UB ＃
V
OH
V
OL
V
IH
t
京东方
t
CEW
t
OHZ
t
京东方
t
OHZ
第2周期读V
IL
V
IH
第2周期读V
IL
t
ACLK
有效
产量
t
KOH
高-Z
有效
产量
有效
产量
有效
产量
有效
产量
DQ [15：0 ]输出
V
OH
第2周期读V
OL
t
ACLK
OE ＃
V
IH
第二个周期的写
V
IL
V
IH
LB ＃ / UB ＃
第二个周期写入V
IL
t
SP
t
HD
高-Z
DQ [ 15 ：0]
V
IH
第二个周期写入V
IL
D0
D1
D2
D3
不在乎
注意：
1.非默认BCR设置突发读取突发读取或写入中断：固定或可变延迟两个代码（三个时钟） ;等待激活
低;延迟期间等待断言。所示的可变延迟所有阵阵;无刷新的碰撞。
2.突发中断显示在第一次允许时钟（即接收后的第一个数据通过控制器） 。
3. CE＃可以留低爆操作间，但CE＃不能保持低电平长于吨
CEM
.
未定义
53
