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初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
图45.异步写入其次是突发读
t
CLK
CLK
A[21:0]
V
IH
V
IL
V
IH
有效的地址
V
IL
有效的地址
有效的地址
t
WC
t
WC
t
SP
t
HD
t
AVS
t
VP
t
CVS
t
CW
t
AVH
t
AW
t
WR
ADV ＃
V
IH
V
IL
V
IH
t
SP
t
HD
t
VS
t
CBPH
注2
t
CSP
CE＃
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
t
AS
t
OHZ
OE ＃
t
AS
t
WP
t
WC
t
WPH
t
BW
t
SP
t
HD
WE＃
V
IL
V
IH
t
SP
t
京东方
t
HD
LB ＃ / UB ＃
V
IL
V
OH
t
CEW
t
DH
高-Z
等待
高-Z
V
OL
V
IH
t
DW
V
OH
t
ACLK
高-Z
V
OL
有效
产量
t
KOH
有效
产量
有效
产量
有效
产量
DQ [15：0 ]
IN / OUT
V
IL
数据
数据
不在乎
注意：
对于异步写入后突发读取1.非默认BCR设置：固定或可变延迟;延迟代码2 （ 3个时钟） ;等待
低电平有效;延迟期间等待断言。
2.当异步和可变时延突发操作之间的转换， CE ＃必须高。过渡到时候CE＃可以留低
固定延时脉冲串读出。刷新机会必须提供每个T
CEM
。刷新机会通过以下两种的满足
条件：a）主频CE ＃高，或b ） CE＃高比15ns的时间更长。
未定义
56
