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初步
EMC646SP16J
4Mx16的CellularRAM
图38.突发写入操作 - 可变延迟模式
t
CLK
t
KHKL
t
KP
t
KP
CLK
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
A[21:0]
V
IH
有效的地址
V
IL
t
AS
3
t
SP
t
AS
3
t
CSP
t
HD
t
HD
t
CEM
t
CBPH
ADV ＃
V
IH
V
IL
CE＃
V
IH
V
IL
OE ＃
V
IH
V
IL
t
SP
t
HD
WE＃
V
IH
V
IL
t
SP
LB ＃ / UB ＃
V
IH
V
IL
t
HD
t
HZ
高-Z
等待
V
OH
V
OL
V
iH
t
CEW
高-Z
注2
t
KHTL
t
SP
D1
t
HD
D2
D3
D0
DQ [15：0 ]
V
iL
写突发鉴定
（ WE＃ =低）
注意：
1.非默认BCR设置可变延迟模式突发写操作：延迟两个代码（三个时钟） ;等待低电平有效;等待
延迟期间断言;突发长度为4 ;突发包启用。
2.等待断言为LC周期为固定和可变延迟。 LC =延迟代码（ BCR [ 13:11 ] ） 。
3. t
AS
要求如果T
CSP
>为20ns 。
不在乎
49
