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SN65LVDS302
SLLS733B - 2006年6月 - 修订2007年2月
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设备电气特性
在推荐工作条件（除非另有说明）
参数
测试条件
交1010的测试图案（见
表9）;
所有CMOS输出
终止了与10 pF的; F / S和RXEN在V
DD
; V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V;
V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
1ChM
典型功耗测试图案（见
表6）;
V
ID
= 70 mV时，所有CMOS
输出端接10 pF的; F / S模式在GND和RXEN在V
DD
;
V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V; V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
交1010测试图案（请参阅表
9);
所有CMOS输出
终止了与10 pF的; F / S和RXEN在V
DD
; V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V;
V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
2ChM
I
DD
RMS供应
当前
典型功耗测试图案（见
表7）;
V
ID
= 70 mV时，所有CMOS
输出端接10 pF的; F / S模式在GND和RXEN在V
DD
;
V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V; V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
交1010的测试图案（见
表9）;
所有CMOS输出
终止了与10 pF的; F / S和RXEN在V
DD
; V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V;
V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
3ChM
典型功耗测试图案（见
表8）;
V
ID
= 70 mV时，所有CMOS
输出端接10 pF的; F / S模式在GND和RXEN在V
DD
;
V
IH
=V
DD
, V
IL
=0 V;
V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
;
f
PCLK
= 4兆赫
f
PCLK
= 6兆赫
f
PCLK
= 15 MHz的
f
PCLK
= 4兆赫
f
PCLK
= 6兆赫
f
PCLK
= 15 MHz的
f
PCLK
= 8 MHz的
f
PCLK
= 22 MHz的
f
PCLK
= 30 MHz的
f
PCLK
= 8 MHz的
f
PCLK
= 22 MHz的
f
PCLK
= 30 MHz的
f
PCLK
= 20 MHz的
f
PCLK
= 65 MHz的
f
PCLK
= 20 MHz的
f
PCLK
= 65 MHz的
待机模式;
RXEN = V
IH
关闭
方式;
RXEN = V
IL
民
典型值
(1)
9.8
11.7
19.3
4.7
6.0
13.2
14.3
25.0
26.8
6.4
13.7
18.3
17.1
60.8
8.6
22.2
15
100
mA
27.0
68.0
mA
mA
19.4
33.0
37.0
mA
mA
最大
14.0
15.9
25.0
mA
单位
CLK和D [ 0：2]输入开路;保持静态高或低所有的控制输入;
所有的CMOS输出端接10 pF的;
V
IH
=V
DD
, V
IL
=0V; V
DD
=V
DDPLLA
=V
DDPLLD
=V
DDLVDS
A
A
0.4
10
(1)
所有典型值是在25 ℃，用1.8 V电源，除非另有说明。
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