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SN65LVDS302
SLLS733B - 2006年6月 - 修订2007年2月
输入电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
D0 + ， D0 ， D1 + ， D1- ， D2 + ， D2- ， CLK +和CLK-
V
thstby
输入共模电压阈值RXEN在V
DD
切换接收/采集模式和
待机模式
低级别的差分输入电压
门槛
高层次的差分输入电压
门槛
输入漏电流
关机输入电流
差分输入端接电阻值
输入电容
输入电容的变化
测量输入端之间
和GND
在一个信号对
所有的信号之间
21
I
I
= -18毫安，V
DD
=V
DD
（分钟）
0 V
≤
V
DD
≤
1.95 V; V
I
= GND或
V
I
=1.95 V
2
V
IN
= 0.7
×
V
DD
V
IN
= 0.3
×
V
DD
-200
–200
0.7×V
DD
0
200
200
V
DD
0.3×V
DD
30
V
DD
=1.95 V; V
I+
= V
I–
;
V
I
= 0.4 V和V
I
= 1.5 V
V
DD
= GND ; V
I
= 1.5V
78
100
1
0.2
1
39
-1.2
100
V
D0+
–V
D0–
, V
D1+
–V
D1–
, V
D2+
–V
D2–
,
V
CLK +
–V
CLK-
1.3
0.9×V
DDLVDS
V
–40
40
75
–75
122
mV
mV
A
A
pF
pF
k
V
nA
pF
nA
V
测试条件
民
典型值
(1)
最大
单位
V
THL
V
THH
I
I+
, I
I–
I
IOFF
R
ID
C
IN
C
IN
R
BBDC
上拉电阻的待机检测
LS0 ， LS1 ， CPOL ， SWAP ， RXEN ， F / S
V
IK
输入钳位电压
当前
(2)
I
iCMOS工艺
输入
C
IN
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
(1)
(2)
输入电容
高层次的输入电流
低电平输入电流
高电平输入电压
低电平输入电压
所有典型值是在25 ℃，用1.8 V电源，除非另有说明。
不要留下任何的CMOS输入悬空或浮动，以减少漏电流。每个输入必须连接到一个有效的逻辑电平
V
IH
或V
OL
通电时到V
DD
.
输出电气特性
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
R [O ：7] ，G [0：7 ]，B [ 0：7] ，VS， HS和PCLK ， CPE
1 ， CHM ， F / S = L，I
OH
=–250
A
V
OH
高电平输出电流
2-或3- CHM ， F / S = L时，我
OH
=–500
A
1 ， CHM ， F / S = H，I
OH
=–500
A
2-或3- CHM ， F / S = H，我
OH
= -2.0毫安
1 ， CHM ， F / S = L，I
OL
=250
A
V
OL
低电平输出电流
2-或3- CHM ， F / S = L时，我
OL
=500
A
1 ， CHM ， F / S = H，I
OL
=500
A
2-或3- CHM ， F / S = H，我
OL
= 2.0毫安
I
OH
高电平输出电流
1 ， CHM ， F / S = L
2-或3- CHM ， F / S = L ; 1 ， CHM ， F / S = H
2-或3- CHM ， F / S = H
I
OL
低电平输出电流
1 ， CHM ， F / S = L
2-或3- CHM ， F / S = L ; 1 ， CHM ， F / S = H
2-或3- CHM ， F / S = H
–250
–500
–2000
250
500
2000
A
0
0.2×V
DD
V
0.8×V
DD
V
DD
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
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