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LHF16J12
6
符号
A
-1
A
0
-A
19
TYPE
输入
DQ
0
-DQ
15
输入/
产量
CE＃
RP ＃
OE ＃
WE＃
WP ＃
输入
输入
输入
输入
输入
BYTE ＃
输入
开放
漏
产量
RY / BY ＃
V
CCW
供应
表1.引脚说明
名称和功能
地址输入：在输入读地址和写操作。地址是
在写周期内锁定。
A
-1
：下地址输入，而BYTE ＃为V
IL
. A
-1
脚改变DQ
15
销而BYTE ＃为V
IH
.
A
15
-A
19
：主块地址。
A
12
-A
19
：引导和参数块地址。
数据输入/输出：输入数据和命令在崔写周期;输出数据
存储阵列时，状态寄存器和识别码读周期。数据引脚浮到高
阻抗当芯片被取消或输出被禁止。数据是在一个内部锁存
写周期。 DQ
8
-DQ
15
引脚不使用，而字节模式（ BYTE ＃ = V
IL
） 。然后， DQ
15
针
变化
-1
地址输入。
CHIP ENABLE ：激活设备的控制逻辑，输入缓冲器，解码器和读出放大器。
CE＃ - 高释放器件降低功耗待机水平。
RESET ：复位器件内部的自动化。 RP ＃ - 高能够正常运行。当驱动
低， RP ＃禁止写操作过程中其电源转换提供数据保护。出口
在复位模式设置设备来读取阵列模式。 RP ＃必须是V
IL
在上电期间。
OUTPUT ENABLE ：盖茨设备的输出在读周期。
写使能：控制写入崔和阵列模块。地址和数据锁存
在WE ＃脉冲的上升沿。
写入保护功能：当WP ＃为V
IL
，引导块不能被写入或擦除。当WP＃为
V
IH
，锁定引导块不能写入或擦除。 WP＃不受影响参数和主
块。
字节使能： BYTE ＃ V
IL
在字节模式的地方装置（ × 8 ） 。所有数据被输入或输出上
DQ
0-7
和DQ
8-15
浮动。 BYTE ＃ V
IH
放置在字模式（ × 16 ）的设备，并关闭了A
-1
输入缓冲器。
READY / BUSY ＃ ：指示内部WSM的状态。当低， WSM的执行
内部操作（块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位配置） 。
RY / BY ＃ - 高Z为使WSM等待新的命令，块擦除暂停，
和字/字节写是无效的，字/字节写操作被暂停，或者设备处于复位状态。
块擦除整片擦除，字/字节写入或锁定位
配置电源：擦除阵列块，书写字/字节或
配置锁定位。随着V
CCW
≤V
CCWLK
，存储器的内容不能被改变。块擦除，全
芯片擦除，字/字节写和锁定位配置与无效V
CCW
（见6.2.3 DC
特性）产生虚假的结果，不应试图。采用12V ± 0.3V至
V
CCW
在擦除期间/写只能最多为1000个循环，每个块上进行。 V
CCW
可被连接到12V ±0.3V ，总共最多80小时。
器件电源：不要任何浮动电源引脚。随着V
CC
≤V
LKO
所有写尝试
闪速存储器被抑制。在无效的V器件业务
CC
电压（见6.2.3 DC
特性）产生虚假的结果，不应试图。
地面：不要任何浮动接地引脚。
NO CONNECT ：铅是不是内部的连接;它可被驱动或浮置。
V
CC
GND
NC
供应
供应
修订版1.26
