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LHF16J12
表2.1 。
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
V
IH
表2.2 。
RP ＃
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IH
公交运营（ BYTE ＃ = V
IH
)
(1,2)
CE＃
OE ＃
WE＃
地址
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
X
X
X
X
X
X
SEE
V
IL
V
IL
V
IH
图4
V
IL
V
IH
V
IL
X
公交运营（ BYTE ＃ = V
IL
)
(1,2)
CE＃
OE ＃
WE＃
地址
V
IL
V
IL
V
IH
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
X
X
X
X
X
X
SEE
V
IL
V
IL
V
IH
图4
V
IL
V
IH
V
IL
X
10
模式
读
输出禁用
待机
RESET
读取识别码
写
笔记
8
4
8
6,7,8
V
CCW
X
X
X
X
X
X
DQ
0-15
D
OUT
高Z
高Z
高Z
注5
D
IN
RY / BY ＃
(3)
X
X
X
高Z
高Z
X
模式
读
输出禁用
待机
RESET
读取识别码
笔记
8
4
8
V
CCW
X
X
X
X
X
DQ
0-7
D
OUT
高Z
高Z
高Z
注5
RY / BY ＃
(3)
X
X
X
高Z
高Z
写
6,7,8
V
IH
X
D
IN
X
注意事项：
1.参考直流特性。当V
CCW
≤V
CCWLK
，存储器的内容可以被读取，但不被改变。
2. X可以是V
IL
或V
IH
用于控制管脚和地址，和V
CCWLK
或V
CCWH1/2
对于V
CCW
。见DC特性
V
CCWLK
电压。
3. RY / BY ＃为V
OL
当WSM正在执行内部块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位配置
算法。这是当WSM不忙时高阻，在块擦除暂停模式（字/字节写无效） ，
字/字节写入暂停模式或复位模式。
4. RP ＃在GND ± 0.2V保证了最低的功耗。
读识别码数据5.见4.2节。
6.命令将包括块擦除，整片擦除，字/字节写入或锁定位配置可靠地执行
当V
CCW
=V
CCWH1/2
和V
CC
=2.7V-3.6V.
7.请参阅表3为有效D
IN
在写操作。
8.不要抱OE ＃低， WE＃低在相同的时间。
修订版1.26
