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LHF16J12
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1引言
这
数据表
包含
LH28F160BJHB-TTL90
规格。部1提供的闪速存储器
概述。部分2 ，3，4和5描述了存储器
组织和功能。第6节涵盖了电气
特定连接的阳离子。
块擦除操作擦除设备的32K-之一
字/ 64K字节内1.2秒（ 3V V典型块
CC
, 3V
V
CCW
） ，在0.6秒通常4K字/ 8K字节的块（ 3V
V
CC
, 3V V
CCW
）独立于其他块。每块
可独立擦除的最小100,000次。
块擦除挂起模式允许系统软件
暂停块擦除从任何其它读取或写入数据
块。
写入内存中的数据是字/字节进行
该设备的32K字块通常为增量
33μs内（ 3V V
CC
, 3V V
CCW
） ， 64K字节的块
一般在31μs （ 3V V
CC
, 3V V
CCW
） ， 4K字
一般在36μs块（ 3V V
CC
, 3V V
CCW
), 8K-
一般在32μs字节块（ 3V V
CC
, 3V V
CCW
).
字/字节写操作挂起模式使系统能够读取
数据或任何其他闪存阵列执行代码
位置。
个别块锁定使用位的组合，第三十
9块锁位，永久锁定位和WP ＃引脚，
锁定和解锁块。块锁定位闸块擦除，
整片擦除和字/字节写操作，而
永久锁定位的门阻断锁定位的修改和
锁块交替。锁定位配置
操作（设置块锁定位，设置永久船闸位
和清除块锁定位命令）设置和清除
锁位。
状态寄存器指示时， WSM的块擦除，
整片擦除，字/字节写入或锁定位配置
操作完成。
该RY / BY ＃输出给WSM的附加指标
通过同时提供硬件的状态信号活动
（相对于软件轮询）和状态屏蔽（中断
为背景的块擦除掩码，例如） 。状态
用RY / BY ＃投票既减少了CPU开销和
系统的功耗。当低， RY / BY ＃指示
该WSM正在执行块擦除，整片擦除，
字/字节写入或锁定位配置。 RY / BY ＃ - 高
表明WSM是准备一个新的命令，
块擦除暂停（和字/字节写操作
不活动） ，字/字节的写入被中止，或在设备处于
复位模式。
1.1特性
LH28F160BJHB - TTL90引导块的主要增强功能
快闪记忆体是：
*单
低电压操作
ULOW
耗电量
增强
暂停功能
引导
座建筑
请注意以下事项：
V
CCWLK
已降至1.0V ，支持2.7V
3.6V块擦除，整片擦除，字/字节写和
锁位的配置操作。在V
CCW
电压
转换到GND推荐的设计，
开关管V
CCW
关闭读取操作期间。
1.2产品概述
该LH28F160BJHB - TTL90是一个高性能16M-
组织为16 100万字位引导块闪存
比特或8比特的2M字节。数据1M字/ 2M字节是
安排在两个4K字/ 8K字节的引导块，六4K-
字/ 8K字节的参数块和31 32K-
字/ 64K字节那些单独的主块
可擦除，可锁定和解锁在系统。内存
图谱示于图3 。
专用V
CCW
销给了完整的数据保护
当V
CCW
≤V
CCWLK
.
A命令的用户界面（ CUI）作为界面
系统处理器和内部操作之间
装置。写到崔有效的命令序列
启动设备的自动化。内部写状态
机（ WSM ）自动执行的算法
和必要的块擦除，整片擦除时序，
字/字节写和锁定位的配置操作。
修订版1.26
