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LHF16J12
访问时间为90ns是（T
AVQV
）在工作
温度范围（-40 ° C至+ 85° C）和V
CC
供应
电压范围为2.7V - 3.6V的。
自动省电（ APS ）功能显着
降低时，该设备是在静态模式下工作电流
（地址不切换） 。在APS模式，典型的我
CCR
电流为2μA （ CMOS ），在3.0V V
CC
.
当CE ＃和RP ＃引脚在V
CC
中，我
CC
CMOS
待机模式下被启用。当RP ＃引脚为GND ，
复位模式被激活，最大限度地减少权力
消费和提供写保护。复位时间
(t
PHQV
）从RP ＃需要切换到较高的输出
是有效的。同样地，该装置具有一个唤醒时间（t
PHEL
)
从RP ＃ - 高，直到写入到崔的认可。
随着RP ＃在GND时， WSM复位和状态
寄存器清零。
请不要执行重新编程"0"的位，
已经被程序性"0".覆盖操作可以
产生unerasable位。如果重新编程"0"来
已程序性"1"数据。
·计划与QUOT ; 0 ＆ QUOT ;在您要更改的位
数据"1"到"0" 。
·计划与QUOT ; 1 ＆ QUOT ;对于一个已经设置了位
编程"0" 。
例如，更改数据"10111101"到
＆ QUOT ; 10111100 ＆ QUOT ;要求： QUOT ; 11111110 ＆ QUOT ;编程。
4
1.3产品说明
1.3.1封装引脚
LH28F160BJHB - TTL90引导块Flash存储器
在48球CSP封装（见图2） 。
1.3.2组织块
该产品采用了非对称受阻
体系结构提供系统内存的集成。每
其他最多的擦除块可独立擦除的
10万次。对于这些块的地址位置，参见
存储器映射图3 。
引导块：引导块被用来代替
在微处理器专用引导PROM或
基于微控制器的系统。这个引导块4K字
（ 4,096words ）功能的硬件控制的直写
保护，以保护关键的微处理器启动代码
意外修改。护罩的保护
块使用的是V的组合控制
CCW
， RP ＃ ，
WP ＃引脚和块锁位。
参数块：引导块架构包括
参数块，以便于存储的频繁更新
小的参数，通常会需要
EEPROM 。通过使用软件技术中，字重写
EEPROM的功能可以模拟。每次开机
块组件包含了4K的六个参数块
字（ 4096字）每个。该参数的保护
块使用的是V的组合控制
CCW
， RP ＃
并阻止锁定位。
主要模块：该提醒被分成主区块
数据或代码存储器。每个16M位的设备包含第三十
1 32K字（ 32,768字）块。的保护
主模块使用的一个组合控制
V
CCW
， RP ＃和块锁位。
修订版1.26
