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> BLV4N60 PDF资料2第5页
BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
典型特征
（
续）
）
图9.最高安全工作区
图10.瞬态热响应曲线
http://www.belling.com.cn
-5-
共6页
10/23/2006
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