BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
电特性
（
T
C
=25
o
C
除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
（上）
t
r
t
（关闭）
t
f
西塞
科斯
CRSS
漏源击穿电压
源漏击穿电压温度系数
导通电阻
阈值电压
跨导
零栅压漏电流
零栅压漏电流
(Tc=125℃)
栅½漏电流
栅总电荷
栅源电荷
栅漏电荷
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参照25°
I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=2A(注 3)
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
V
DD
=480V
I
D
=4A
V
GS
=10V
(注 3)
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=25
(注 3)
V
DS
=25V
V
GS
=0V
F = 1MHz的
最小
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型
-
0.6
-
-
3
-
-
-
23.7
5.4
9.4
13
21
35
25
690
125
14
最大
-
-
2.2
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单½
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源漏二极管特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源极电流
脉冲源极电流
(注1)
正向导通压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=4A
V
GS
= 0V时，我
S
=4A (注3)
dI
F
/ DT = 100A / us的
参数
测试条件
最小
-
-
-
-
-
典型
-
-
-
680
2
最大
4
16
1.4
-
-
单½
A
A
V
ns
uC
注：
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
(2)
L = 25mH ，攻速= 4A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃
（3 ）脉冲宽度
≤
300我们;占空比
≤
2%
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10/23/2006
