BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
电气特性
(
T
C
= 25℃ ，除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
参数
漏源击穿电压
击穿电压
温度COEF网络cient
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导（注3 ）
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
Tc=125℃
栅极 - 源极漏电流
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，
I
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=2A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
V
DD
=480V
I
D
=4A
V
GS
=10V
note3
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=25
note3
V
DS
=25V
V
GS
=0V
F = 1MHz的
分钟。
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.6
-
-
3
-
-
-
23.7
5.4
9.4
13
21
35
25
690
125
14
马克斯。
-
-
2.2
4
-
1
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
（上）
t
r
t
（关闭）
t
f
西塞
科斯
CRSS
源极 - 漏极二极管的特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r r
注意：
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
参数
测试条件
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
680
2
马克斯。
4
16
1.4
-
-
单位
A
A
V
ns
uC
连续源二极管的正向电流
脉冲源二极管的正向电流（注1）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=4A
V
GS
= 0V时，我
S
=4A
dI
F
/ DT = 100A / us的
(2)
L = 25mH ，攻速= 4A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃
（3 ）脉冲宽度
≤
300我们;占空比
≤
2%
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BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
抗雪崩冲击½力强
高速开关
驱动简单
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
2.2Ω
Ω
4A
产品介绍
BLV4N60
是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术，
自行开发的
600V
、4A
N
沟
VDMOS ，
适合于各类高
效开关电源。
最大额定参数
（
T
C
=25
o
C
除非另有说明
）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
Tj
T
SDG
漏源电压
栅源电压
连续漏极电流
连续漏极电流
(
T
C
=100
o
C
)
脉冲漏极电流
(注 1)
功耗
高于
25℃线性降½参数
单脉冲雪崩击穿½量
(注 2)
雪崩击穿电流
重复雪崩击穿½量
工½温度范围
存储温度范围
参数
极限值
600
+ 20
4
2.53
16
104
0.83
218
4
10.4
-55到+150
-55到+150
单½
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
o
o
C
C
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
参数
极限值
1.2
62.5
单½
℃/
W
℃/
W
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-1-
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BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
电特性
（
T
C
=25
o
C
除非另有说明）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/T
J
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Qg
QGS
QGD
t
（上）
t
r
t
（关闭）
t
f
西塞
科斯
CRSS
漏源击穿电压
源漏击穿电压温度系数
导通电阻
阈值电压
跨导
零栅压漏电流
零栅压漏电流
(Tc=125℃)
栅½漏电流
栅总电荷
栅源电荷
栅漏电荷
开启延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
参数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参照25°
I
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 15V ，我
D
=2A(注 3)
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V, V
GS
=0V
V
GS
= ± 20V
V
DD
=480V
I
D
=4A
V
GS
=10V
(注 3)
V
DD
=300V
I
D
=4A
R
G
=25
(注 3)
V
DS
=25V
V
GS
=0V
F = 1MHz的
最小
600
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型
-
0.6
-
-
3
-
-
-
23.7
5.4
9.4
13
21
35
25
690
125
14
最大
-
-
2.2
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单½
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源漏二极管特性
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
连续源极电流
脉冲源极电流
(注1)
正向导通压降
反向恢复时间
反向恢复电荷
V
GS
= 0V时，我
S
=4A
V
GS
= 0V时，我
S
=4A (注3)
dI
F
/ DT = 100A / us的
参数
测试条件
最小
-
-
-
-
-
典型
-
-
-
680
2
最大
4
16
1.4
-
-
单½
A
A
V
ns
uC
注：
（ 1 ）重复评级：脉冲宽度有限的最高结温
(2)
L = 25mH ，攻速= 4A ， VDD = 50V ， RG = 25Ω ，盯着TJ = 25℃
（3 ）脉冲宽度
≤
300我们;占空比
≤
2%
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10/23/2006
BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
典型特征
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
图3.归BVDSS与结
温度
图4.归一导通电阻与
结温
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BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
典型特征
（
续）
）
图5.导通电阻变化对比
漏电流和栅极电压
图6.体二极管正向电压
变化与源电流
和温度
图7.栅极电荷特性
图8.电容特性
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BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
典型特征
（
续）
）
图9.最高安全工作区
图10.瞬态热响应曲线
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