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分立半导体

数据表

BLF242

高频/甚高频功率MOS晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体， SC08a文件

1992年9月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率MOS晶体管

特点

高功率增益

低噪音

简单的电源控制

良好的热稳定性

可承受满负荷不匹配

黄金金属确保

出色的可靠性。

2

3

MSB057

BLF242

引脚配置

fpage

1

4

手册， halfpage

d

g

s

MBB072 - 2

描述

硅N沟道增强

模式的垂直D- MOS晶体管

专为专业变送器

在HF / VHF频率的应用

范围内。

该晶体管被封装在一个

4引脚， SOT123法兰信封，用

陶瓷盖。所有的线索都隔离

从凸缘。

钉扎 - SOT123

针

1

2

3

4

漏

来源

门

来源

描述

Fig.1简化外形和符号。

小心

该器件采用防静电包装中提供。栅源输入必须

运输和装卸过程中加以保护，防止静电。

警告

产品和环境安全 - 有毒物质

本品含有氧化铍。该产品是完全安全规定

该氧化铍盘不被损坏。所有的人谁处理，使用或处置

该产品应该知道它的性质和所需的安全性的

预防措施。使用后，处理为根据化学品或特殊废物

规定施加于用户的位置。它绝不能丢

用一般的或生活垃圾。

快速参考数据

射频性能在T

h

= 25

°C

在一个共同的源测试电路。

操作模式

CW ， B类

f

（兆赫）

175

V

DS

(V)

28

P

L

(W)

5

G

p

（ dB）的

＆ GT ;

13

（典型值）。 16

η

D

(%)

＆ GT ;

50

（典型值）。 60

1992年9月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率MOS晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

V

DS

±V

GS

I

D

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

栅源电压

直流漏电流

总功耗

储存温度

结温

最多至T

mb

= 25

°C

条件

65

分钟。

BLF242

马克斯。

65

20

1

16

150

200

单位

V

V

A

W

°C

°C

热阻

符号

R

日J- MB

R

日MB -H

参数

从热阻

结到安装基座

从热阻

安装底座到散热片

条件

T

mb

= 25

°C;

P

合计

= 16 W

T

mb

= 25

°C;

P

合计

= 16 W

热阻

11 K / W

0.3 K / W

手册， halfpage

10

MRA918

MPG141

手册， halfpage

20

ID

(A)

P合计

(W)

(2)

1

(1)

(2)

(1)

10

10

1

10

2

1

10

VDS （ V）

10

2

0

0

50

100

TH（ ° C）

150

（ 1）电流是此区域可以由R限于

DS （ ON）

.

(2) T

mb

= 25

°C.

（ 1 ）连续运行。

（2）不匹配时短时操作。

图2 DC飙升。

图3电源/温度降额曲线。

1992年9月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率MOS晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

g

fs

R

DS （ ON）

I

DSX

C

is

C

os

C

rs

参数

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

正向跨导

漏源导通电阻

通态漏电流

输入电容

输出电容

反馈电容

条件

V

GS

= 0; I

D

- 0.1毫安

V

GS

= 0; V

DS

= 28 V

±V

GS

= 20 V; V

DS

= 0

I

D

= 3毫安; V

DS

= 10 V

I

D

= 0.3 A; V

DS

= 10 V

I

D

= 0.3 A; V

GS

= 1 V

V

GS

= 10 V; V

GS

= 10 V

V

GS

= 0; V

DS

= 28 V ; F = 1 MHz的

V

GS

= 0; V

DS

= 28 V ; F = 1 MHz的

V

GS

= 0; V

DS

= 28 V ; F = 1 MHz的

分钟。

65

2

0.16

典型值。

0.24

3.3

1.2

13

9.4

1.7

BLF242

MAX 。 UNIT

10

1

4.5

5

V

A

A

V

S

A

pF

pF

pF

手册， halfpage

4

MBB777

手册， halfpage

1.5

MGP142

T.C.

（毫伏/ K）的

2

ID

(A)

1

0

0.5

–2

–4

0

100

200

ID （MA ）

300

0

0

5

10

VGS （ V）

15

V

DS

= 10 V.

V

DS

= 10 V ;牛逼

j

= 25

°C.

Fig.4

栅 - 源温度COEF网络cient

电压为漏极电流的函数，典型

值。

Fig.5

漏电流的栅源极间的函数

电压典型值。

1992年9月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

高频/甚高频功率MOS晶体管

BLF242

手册， halfpage

6

MBB778

手册， halfpage

30

MBB776

RDS （ ON）

()

C

（PF ）

4

20

CIS

COS

2

10

0

0

50

100

TJ （

o

C)

150

0

0

10

20

VDS （ V）

30

I

D

= 0.3 A; V

GS

= 10 V.

V

GS

= 0; F = 1兆赫。

Fig.6

漏极 - 源极导通电阻为

结温度的函数，典型

值。

Fig.7

输入和输出电容的功能

漏极 - 源极电压，典型值。

手册， halfpage

6

MBB775

CRS

（PF ）

4

2

0

0

10

20

VDS （ V）

30

V

GS

= 0; F = 1兆赫。

Fig.8

反馈电容的一个函数

漏极 - 源极电压，典型值。

1992年9月

5

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