BLV4N60
N沟道增强型功率MOSFET
抗雪崩冲击½力强
高速开关
驱动简单
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
600V
2.2Ω
Ω
4A
产品介绍
BLV4N60
是上海贝岭采用目前先进的工艺和设计技术，
自行开发的
600V
、4A
N
沟
VDMOS ，
适合于各类高
效开关电源。
最大额定参数
（
T
C
=25
o
C
除非另有说明
）
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
Tj
T
SDG
漏源电压
栅源电压
连续漏极电流
连续漏极电流
(
T
C
=100
o
C
)
脉冲漏极电流
(注 1)
功耗
高于
25℃线性降½参数
单脉冲雪崩击穿½量
(注 2)
雪崩击穿电流
重复雪崩击穿½量
工½温度范围
存储温度范围
参数
极限值
600
+ 20
4
2.53
16
104
0.83
218
4
10.4
-55到+150
-55到+150
单½
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
o
o
C
C
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
参数
极限值
1.2
62.5
单½
℃/
W
℃/
W
http://www.belling.com.cn
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共6页
10/23/2006
