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初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能会受到影响。 ）
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与功耗的应用.... -10 ° C至+ 85°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 2.9V
DC应用到输出的高-Z ......... -0.5V到V
DDQ
+ 0.3V
直流输入电压
[9]
.............................. -0.5V到V
DDQ
+ 0.3V
CY7C1316BV18
CY7C1916BV18
CY7C1318BV18
CY7C1320BV18
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压（ MIL -STD - 883 ，男3015 ） .... >2001V
闩锁电流.............................................. ....... >200毫安
工作范围
范围
Com'l
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
[10]
1.8 ± 0.1V
V
DDQ
[10]
1.4V至V
DD
电气特性
在整个工作范围
[11]
DC电气特性
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
OH （ LOW ）
V
OL （ LOW ）
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
V
REF
I
DD
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压
输出低电压
输入高
输入低
电压
[9]
电压
[9]
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
典型值= 0.75V
V
DD
=最大，我
OUT
= 0毫安， 167兆赫
f = f
最大
= 1/t
CYC
200兆赫
250兆赫
I
SB1
自动断电
当前
最大。 V
DD
，这两个端口
167兆赫
取消选择，V
IN
≥
V
IH
或200 MHz的
V
IN
≤
V
IL
f = f
最大
=
250兆赫
1/t
CYC
，输入静态
测试条件
分钟。
V
REF
+ 0.2
–
典型值。
–
–
注12
注13
I
OH
= -0.1毫安，标称阻抗
I
OL
= 0.1毫安，额定阻抗
测试条件
分钟。
1.7
1.4
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
/2 – 0.12
V
DDQ
– 0.2
V
SS
V
REF
+ 0.1
–0.3
–5
–5
0.68
0.75
典型值。
1.8
1.5
马克斯。
1.9
V
DD
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
/2 + 0.12
V
DDQ
0.2
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
– 0.1
5
5
0.95
待定
待定
待定
待定
待定
待定
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
输入负载电流
输出漏电流
输入参考电压
[14]
V
DD
工作电源
AC输入要求
参数
V
IH
V
IL
描述
输入高电平（逻辑1 ）电压
输入低电平（逻辑0 ）电压
马克斯。
–
V
REF
– 0.2
单位
V
V
热阻
[15]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循的标准试验方法和
用于测量热阻抗程序，
按照EIA / JESD51 。
165 FBGA封装
待定
待定
单位
° C / W
° C / W
阴影区域包含预览。
注意事项：
9.过冲： V
IH
交流（AC） ＆ LT ; V
DD
+ 0.85V （脉冲宽度小于吨
TCYC
/ 2）;冲V
IL
交流（AC） ＆ GT ;
1.5V
（脉冲宽度小于吨
TCYC
/2).
10.电：假设一个线性斜坡从0V到V
DD
（分钟）内200毫秒。在这段时间V
IH
＆ LT ; V
DD
和V
DDQ
＆ LT ; V
DD
.
11.对于接地所有的电压。
12.输出受阻抗控制。我
OH
= –(V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5）的175 < RQ < 350值。
13.输出受阻抗控制。我
OL
= (V
DDQ
/ 2 ） / （ RQ / 5）的175 < RQ < 350值。
14. V
REF
（分钟） = 0.68V或0.46V
DDQ
，以较大者为准，V
REF
（最大值） = 0.95V或0.54V
DDQ
中较小的一个。
文件编号： 38-05621牧师**
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