K4S641632C
4. CAS中断（ II ）：阅读打断写& DQM
（一） CL = 2， BL = 4
CLK
我） CMD
DQM
DQ
ⅱ） CMD
DQM
DQ
ⅲ） CMD
DQM
DQ
ⅳ） CMD
DQM
DQ
（二） CL = 3， BL = 4
CLK
我） CMD
DQM
DQ
ⅱ） CMD
DQM
DQ
ⅲ） CMD
DQM
DQ
ⅲ） CMD
DQM
DQ
ⅳ） CMD
DQM
DQ
Q
0
高阻
注1
CMOS SDRAM
RD
WR
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
Q
0
高阻
注1
D
0
D
1
D
2
D
3
RD
WR
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
D
0
RD
D
1
WR
D
2
D
3
高阻
D
0
D
1
WR
D
2
D
3
RD
D
0
D
1
D
2
D
3
*注意：
1.为防止总线冲突，应在数据输入和数据输出之间的至少一个间隙。
电子
