K4S641632C
设备操作（续）
DQM操作
DQM的用于屏蔽输入和输出操作。有用
类似的参考读取操作过程中和在禁止其写入
写操作。读延迟是指从DQM的两个周期
零周期进行写入，这意味着DQM的掩蔽发生2
循环中的读取周期之后和期间发生在同一周期
写周期。 DQM的操作是同步的时钟。该
DQM信号是在写与突发中断重要
读或预充电在SDRAM中。由于异步特性
内部写的， DQM的操作是至关重要的，以避免
不需要的或不完整的写入时，整个突发写的
不是必需的。请参考DQM时序图也。
CMOS SDRAM
自动刷新
需要SDRAM的存储单元被刷新每64毫秒
保持数据。自动刷新周期完成刷新
存储单元的一行。内部计数器递增
自动在每个自动刷新周期刷新所有行。
由主张低CS发出自动刷新命令，
RAS和CAS高的CKE和WE 。自动刷新的COM
命令只能断言与两家银行在空闲状态下的
并且该设备不处于掉电模式（CKE是高的
前一周期） 。需要填写的自动刷新时间
为t指定的操作
RC
（分钟）。的最小数量
需要通过驱动吨计算的时钟周期
RC
时钟
周期时间和他们舍入到下一个较高的整数。该
自动刷新命令后面必须跟NOP的，直到汽车
刷新操作完成。所有银行都将处于空闲状态
在自动刷新操作结束。自动刷新是预
当SDRAM的正用于正常ferred刷新模式
数据事务。自动刷新周期可以执行
曾经在15.6us或爆裂的4096自动刷新周期中的一次
64ms.
预充电
上一个活跃的银行所执行的预充电操作
主张低CS ， RAS ， WE和A
10
凭有效BA / AP
0
BA
1
银行被预充电。预充电命令可以是
吨后，可随时主张
RAS
（分钟）是从银行活性满意
命令，在需要的银行。吨
RP
被定义为最小的
须完成行预充电是时钟周期的数目
除以吨计算
RP
与时钟周期的时间和围捕
到下一个较大整数。应当小心以确保
该猝发写操作完成或DQM用于防止写入
前预充电命令是断言。的最大时间的任何
银行可以为t指定的活动
RAS
（最大值）。因此，每个
银行激活命令。在预充电结束时，该行
进入空闲状态，并准备再次被激活。进入
断电，自动刷新，自刷新模式和寄存器组
等是可能只有当所有银行都处于空闲状态。
自刷新
自刷新是另一刷新模式中可用的
SDRAM 。自刷新是优选的刷新模式为数据
保留和SDRAM的低功耗操作。在自刷新
模式中，SDRAM禁止内部时钟和所有的输入
缓冲区CKE除外。刷新寻址和定时是
内部产生的，以减少功率消耗。
自刷新模式从所有银行进入空闲状态下，
主张低CS ， RAS ， CAS和CKE高的WE 。
一旦自刷新模式时被输入，只有CKE的状态为低
事项，所有其他投入包括时钟被忽略
为了保持在自刷新模式。
自刷新是通过重新启动外部时钟和退出
然后宣称在高CKE 。这必须跟NOP的对
吨的最小时间
RC
前SDRAM达到空闲状态
开始正常工作。如果系统使用爆裂自动刷新
在正常操作期间，建议使用脉冲串4096
在退出自刷新后立即自动刷新周期
模式。
自动预充电
在预充电操作，也可以通过使用自动执行
预充电。 SDRAM的内部生成的定时，以满足
t
RAS
（分钟）和"吨
RP
" ，用于编程的突发长度和CAS
潜伏期。在相同发出的自动预充电命令
时间，突发读取或主张对高突发写入
10
/ AP 。如果
突发读取或通过在认定的高爆写
10
/ AP ，银行
离开活动状态，直到一个新的命令被断言。一旦汽车
precahrge指令下达后，没有新命令是可能的，以
直到该行特定的银行达到空闲状态。
两家银行预充电
两个银行可以在同一时间通过利用预先进行预充电
负责所有命令。主张低CS ， RAS ，以及我们与
高上的
10
/ AP后，所有银行都满意吨
RAS
（分）要求一
包换，进行预充电所有银行。在t的端
RP
后
进行预充电到所有的银行，两家银行都处于空闲
状态。
电子
