K4S641632C
10.时钟暂停出口&掉电退出
1 ）时钟挂起（ =活动掉电）退出
CLK
CKE
TSS
CMOS SDRAM
2 ）关机（ =预充电关机）
CLK
CKE
国内
CLK
RD
CMD
注2
TSS
国内
CLK
CMD
注1
NOP ACT
11.自动刷新&自我刷新
1 ）自动刷新&自我刷新
CLK
ó
注4
注5
注3
CMD
CKE
PRE
AR
ó
ó
激进党
TRC
ó
CMD
2 ）自刷新
CLK
注6
ó
注4
CMD
CKE
PRE
SR
CMD
ó
激进党
ó
TRC
*注意：
1.主动断电：一个或多个银行的活动状态。
2.预充电断电：所有银行预充电状态。
3.自动刷新是一样的常规DRAM的CBR刷新。
自动刷新命令后无预充电命令是必需的。
在t
RC
从自动刷新命令，任何其他命令不能被接受的。
4.在执行自动/自刷新命令，所有银行必须处于空闲状态。
5.刘健，银行主动，自动/自刷新，掉电模式进入。
6.在自刷新模式，刷新间隔和刷新操作是内部perfomed 。
后自刷新进入，自刷新方式下被保持而CKE是低电平。
在自刷新模式，除CKE所有投入将不关心，输出将在Hi-Z状态。
在t的时间间隔
RC
从自刷新退出命令，任何其他命令不能被接受的。
/后自刷新模式之前，爆出自动刷新周期（ 4096次）的建议。
电子
